|
½Ö±Ø¼º Á¢ÇÕ Æ®·£Áö½ºÅÍ[BJT]Ư¼º, BJTÀÇ °íÁ¤ ¹ÙÀ̾ ¹× Àü¾Ð ºÐ¹è±â ¹ÙÀ̾¿¡ ´ëÇؼ / ½Ö±Ø¼º Á¢ÇÕ Æ®·£Áö½ºÅÍ(BJT)Ư¼º - ½ÇÇè °á°ú - 1) Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ ÇüÅÂ, ´ÜÀÚ, Àç·áÀÇ °áÁ¤ ´ÙÀ½ ½ÇÇè¼ø¼´Â Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ ÇüÅÂ, Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ ´ÜÀÚ ±×¸®°í Àç·á¸¦ °áÁ¤ ÇÒ °ÍÀÌ´Ù. ¿©±â¿¡´Â ¸ÖƼ¹ÌÅÍ¿¡ ÀÖ´Â ´ÙÀÌ¿Àµå Å×½ºÆà ½ºÄÉÀÏÀÌ »ç¿ëµÉ °ÍÀÌ´Ù. ÀÌ¿Í °°Àº °ÍÀ» ÀÌ¿ëÇÒ ¼ö ¾øÀ» °æ¿ì¿¡¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
6p age   | 
1,500 ¿ø
|
|
|
|
|
|
[°øÇÐ] [ÀüÀÚȸ·Î ¼³°è] ÀüÀÚȸ·Î BJT-Amp ¼³°è / ÀüÀÚȸ·Î ¼³°è - ÀüÀÚȸ·Î BJT-Amp ¼³°è 1. ȸ·Î¼³¸í ¡Ø À̹ø BJT-Amp ¼³°èÀÇ ¸ñÇ¥´Â ´ÙÀ½°ú °°´Ù 1. Gain ¡ë 20DB 2. Input impedance ´Â 1k ÀÌ»ó 3. Output impedance ´Â 10 ÀÌÇÏ ¡Ø ÀÔ·Â Àü¾ÐÀ» ÁõÆø½ÃÅ°±â À§ÇÑ ±âº»ÀûÀÎ Common emitter´Â ´ÙÀ½°ú °°´Ù. Common emitter ¡Ø Common emitter¿¡ ´Ù¸¥ ¼ÒÀÚµéÀ» Ãß°¡ ½Ãų °æ¿ì Sp¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
9p age   | 
1,800 ¿ø
|
|
|
|
|
|
½ÇÇè 9. BJT Ư¼º ¿¹ºñ·¹Æ÷Æ® ÀÔ´Ï´Ù. (1)½ÇÇè¸ñÀû 1. Æ®·£Áö½ºÅÍ ±Ô°Ý¼¿¡ ³ª¿À´Â µ¥ÀÌÅÍÀÇ ¼ºÁúÀ» Á¤È®È÷ ÆľÇÇÑ´Ù. 2. ¿¡¹ÌÅÍ °øÅë ȸ·Î·Î »ç¿ëµÇ´Â ÄÝ·ºÅÍ Æ¯¼º °î¼±(VcE ´ë Ic)µéÀ» ÃøÁ¤ÇÏ°í ±×·¡ÇÁ·Î ³ª Ÿ³½´Ù. / (1) ½ÇÇè¸ñÀû (2) ½ÇÇè ÀÌ·Ð 1. Æ®·£Áö½ºÅÍ µ¥ÀÌÅÍ 2. Æ®·£Áö½ºÅÍ¿Í ±× ÀÀ¿ëÀÇ °£´ÜÇÑ ¼³¸í 3. ¿ÜÇüÀûÀÎ µ¥ÀÌÅÍ 4. ÃÖ´ëÁ¤°Ý 5. Æ®·£Áö½ºÅÍ Æ¯¼º °î¼± 6. Ä¿ºê Æ®¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
8p age   | 
1,600 ¿ø
|
|
|
|
|
|
Æ®·£Áö½ºÅÍ(BJT, FET) ¿Ïº®Á¤¸®¿¡ °üÇÑ ±ÛÀÔ´Ï´Ù. Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ µ¿ÀÛ¿ø¸® ¹× Á¾·ù, »ç¿ë¿ëµµ, Ư¼º¿¡ ´ëÇÏ¿© ÀÚ¼¼È÷ ÀûÀº ±ÛÀÔ´Ï´Ù. Æ®·£Áö½ºÅÍÀǵ¿ÀÛ¹×±â´É / 1. Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ µ¿ÀÛ ¹× ±â´É 2. Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ Á¾·ù 3. Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ »ç¿ë¿ëµµ 4. Æ®·£Áö½ºÅ͸¦ ¼±ÅÃÇÏ´Â ±âÁØ 5. Æ®·£Áö½ºÅÍ (Emitter, Base, Collector) 6. FET & BJT Ư¼ººñ±³ / Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ µ¿ÀÛ ¹× ±â´É -Æ®·£Áö½ºÅʹ¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
7p age   | 
1,200 ¿ø
|
|
|
|
|
|
[°øÇÐ,±â¼ú] ÀüÀÚ°øÇÐ - Á¢ÇÕÇü Æ®·£Áö½ºÅÍ(Bipolar junction transistor ; BJT) / Á¢ÇÕÇü Æ®·£Áö½ºÅÍ(Bipolar junction transistor ; BJT) 1. Á¢ÇÕÇü Æ®·£Áö½ºÅÍ(Bipolar junction transistor ; BJT)¶õ - ¹ÙÀÌÆú¶ó Æ®·£Áö½ºÅÍ(Bipolar transistor ¶Ç´Â Bipolar junction transistor ; BJT)´Â Á¢ÇÕÇü Æ®·£Áö½ºÅͶó°íµµ ºÒ¸®´Â Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ ÀÏÁ¾ÀÌ´Ù. n-Çü°ú p-Çü ¹ÝµµÃ¼, ±×¸®°í À̵éÀÇ¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
4p age   | 
1,200 ¿ø
|
|
|
|
|
|
[°øÇÐ] ÀüÀÚȸ·Î ¼³°è - BJT Amp ¼³°è / 1. ȸ·Î¼³¸í ¡Ø À̹ø BJT-Amp ¼³°èÀÇ ¸ñÇ¥´Â ´ÙÀ½°ú °°´Ù 1. Gain ¡ë 20DB 2. Input impedance ´Â 1k ÀÌ»ó 3. Output impedance ´Â 10 ÀÌÇÏ ¡Ø ÀÔ·Â Àü¾ÐÀ» ÁõÆø½ÃÅ°±â À§ÇÑ ±âº»ÀûÀÎ Common emitter´Â ´ÙÀ½°ú °°´Ù. Common emitter ¡Ø Common emitter¿¡ ´Ù¸¥ ¼ÒÀÚµéÀ» Ãß°¡ ½Ãų °æ¿ì Spec¿¡ ¸¹Àº Â÷À̸¦ ³ªÅ¸³»¹Ç·Î´ë·«ÀûÀÎ SpecÀ» Á¶»çÇØ¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
10p age   | 
2,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
BJT Current and Voltage Characteristics¿¡ ´ëÇÑ ±ÛÀÔ´Ï´Ù. BJTCurrentandVoltageCharacteristics°á°ú / ¢Ñ ÄÝ·ºÅÍ Àü·ù¿Íº£À̽º Àü·ù »çÀÌÀÇ °ü°è CE¿¡¼ÀÇ Á¤¼ø¹æÇâ Àü·ùÀü´Þºñ(static forward current transfer ratio) ¶Ç´Â Á÷·ù Àü·ùÀ̵æ(Á÷·ù¥â)À̶ó°í ÇÏ´Â °ÍÀº ·Î Ç¥±âÇÏ°í(Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ ±Ô°ÝÇ¥¿¡´Â ·Î ÀûÇô ÀÖ´Ù) ´ÙÀ½°ú °°ÀÌ Á¤ÀǵȴÙ. ¿©±â¼ ¿Í ´Â ƯÁ¤ÇÑ µ¿ÀÛÁ¡¿¡¼ °áÁ¤¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
3p age   | 
1,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
BJT Technologies [BJT]Technologies(RTL,DCTL,IIL,DTL,TTL,S-TTL,ECL) / 1) RTL (Resistor-Transistor Logic) 2) DCTL (Direct Coupled Transistor Logic) 3) I2L (Intergrated Injection Logic) 4) DTL (Diode-Transistor Logic) 5) TTL (Transistor-Transistor Logic) 6) Schottky TTL (Schottky Transistor-Transistor Logic) 7) ECL (Emitter Coupled Logic) / RTLÀº ÀúÇ×°ú Æ®·£¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
10p age   | 
1,800 ¿ø
|
|
|
|
|
|
BJT Current and Voltage Characteristics¿¡ ´ëÇÑ ±ÛÀÔ´Ï´Ù. BJTCurrentandVoltageCharacteristics / *Âü°í: È»ìÇ¥ ¹æÇâÀº n-type¹°ÁúÀ» ÇâÇÏ°í emitter Àü·ùÀÇ ¹æÇâÀ» ³ªÅ¸³½´Ù. (3) °øÅë º£À̽º(CB) ȸ·Î 1)Á¤ÀÇ Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ Á¢¼Ó¿¡¼ º£À̽º°¡ ÀÔ, Ãâ·Â ¾çÃø¿¡¼ ¸ðµÎ¿¡ °øÅëÀ¸·Î ¿¬°áµÇ¾î Àִ ȸ·Î. 2) Àü·ùÀü´Þºñ() Æ®·£Áö½ºÅÍ¿¡ Àΰ¡ÇÏ´Â ¹ÙÀ̾ Àü¾ÐÀº °¢ °¡Áö¿¡ Ç¥¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
4p age   | 
1,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
BJT ÀÇ Àü·ù Àü¾Ð Ư¼º BJTÀÇÀü·ùÀü¾ÐƯ¼º / 1. Á¦¸ñ : BJT ÀÇ Àü·ù Àü¾Ð Ư¼º 2. ½ÇÇè ³»¿ë ¿ä¾à 3. ½ÇÇè ³»¿ë . ȸ·ÎÀÇ Æ¯¼º(ÀÌ·ÐÀû ¹è°æ) . ȸ·Î ½Ã¹Ä·¹ÀÌ¼Ç °ËÅä . / ±×¸²°ú °°Àº ȸ·Î¸¦ °á¼±ÇÏ°í¿Í ¸¦ Á¶Á¤ÇÏ¿© ¸¦ ÃøÁ¤ÈÄ Àü·ùÀÌµæ ¸¦ ±¸ÇÑ´Ù. 2.2. ½ÇÇè 2 ¿Í ÀÇ º¯È¿¡ µû¸¥ ¸¦ ÃøÁ¤ÇÏ°í -ÀÇ °ü°è¸¦ ¾Ë¾Æ³»°í ±× Ư¼º ±×·¡ÇÁ¸¦ ±×¸°´Ù. 3.¿¹ÃøÄ¡¿Í ½ÇÇèÄ¡ ºñ±³ ¿¹ÃøÄ¡ ¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
5p age   | 
1,000 ¿ø
|
|
|
|
|