? ½Ç¸®ÄÜ ¿þÀÌÆÛÀÇ °³¿ä
¿À´Ã³¯ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ Á¦Á¶¿ë Àç·á·Î¼ ±¤¹üÀ§ÇÏ°Ô »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Â ½Ç¸®ÄÜ ¿þÀÌÆÛ(Silicon Wafer)´Â ´Ù°áÁ¤ÀÇ ½Ç¸®ÄÜ(Si)À» ¿øÀç·á·Î ÇÏ¿© ¸¸µé¾îÁø ´Ü°áÁ¤ ½Ç¸®ÄÜ ¹ÚÆÇÀ» ¸»ÇÕ´Ï´Ù.
½Ç¸®ÄÜÀº ÀϹÝÀûÀ¸·Î »êȹ° ½Ç¸®ÄÜ(SiO2)À¸·Î ¸ð·¡, ¾Ï¼®, ±¤¹° µîÀÇ ÇüÅ·ΠÁ¸ÀçÇϸç À̵éÀº Áö°¢ÀÇ 1/3Á¤µµ¸¦ ±¸¼ºÇÏ°í ÀÖ¾î Áö±¸»ó¿¡¼ ¸Å¿ì dzºÎ ÇÏ°Ô Á¸ÀçÇÏ°í ÀÖÀ¸¸ç µû¶ó¼ ¹ÝµµÃ¼»ê¾÷¿¡ ¸Å¿ì ¾ÈÁ¤ÀûÀ¸·Î °ø±ÞµÉ ¼ö ÀÖ´Â Àç·áÀÏ »Ó¸¸ ¾Æ´Ï¶ó µ¶¼ºÀÌ ÀüÇô ¾ø¾î ȯ°æÀûÀ¸·Î ¸Å¿ì ¿ì¼öÇÑ Àç·áÀÔ´Ï´Ù.
¶ÇÇÑ, ½Ç¸®ÄÜÀ¸·Î ¸¸µé¾îÁø ½Ç¸®ÄÜ ¿þÀÌÆÛ´Â ³ÐÀº Energy Band gap(1.2eV)À» °¡Áö°í Àֱ⠶§¹®¿¡ ºñ±³Àû °í¿Â(¾à 200¡É Á¤µµ±îÁö)¿¡¼µµ ¼ÒÀÚ°¡ µ¿ÀÛ ÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ÀåÁ¡ÀÌ ÀÖ½À´Ï´Ù.
¾Ï¼®¿¡¼ ÃßÃâµÈ ½Ç¸®ÄÜÀº Á¤Á¦°úÁ¤À» °ÅÃÄ °í¼øµµ ´Ù°áÁ¤ ½Ç¸®ÄÜÀ¸·Î Çü¼ºµÇ°í À̸¦ ´Ü°áÁ¤ ½Ç¸®ÄÜ ¿þÀÌÆÛ·Î Á¦Á¶ÇÏ¿© DRAM, ASIC, TR, MOSFET, CMOS, PMOS, ROM, EP-ROM µî ´Ù¾çÇÑ ÇüÅÂÀÇ Device¸¦ ¸¸µå´Âµ¥ ÀÌ¿ëµË´Ï´Ù.
À̵é Device´Â ¿À´Ã³¯ Àüü »ê¾÷ºÐ¾ß¿¡¼ ¾ø¾î¼´Â ¾ÈµÉ Áß¿äÇÑ ºÎÇ°µé·Î¼ °¢Á¾ ÀüÀÚÁ¦Ç°, »ç¾÷ ÀÚµ¿È ±â°è, ÄÄÇ»ÅÍ, ÀΰøÀ§¼º µî ¿À´Ã³¯ Àü »ê¾÷ ¡¦(»ý·«)
|