½Ç¸®ÄÜ ¿þÀÌÆÛÀÇ °³¿ä
¿À´Ã³¯ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ Á¦Á¶¿ë Àç·á·Î¼ ±¤¹üÀ§ÇÏ°Ô »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Â ½Ç¸®ÄÜ ¿þÀÌÆÛ(Silicon Wafer)´Â ´Ù°áÁ¤ÀÇ ½Ç¸®ÄÜ(Si)À» ¿øÀç·á·Î ÇÏ¿© ¸¸µé¾îÁø ´Ü°áÁ¤ ½Ç¸®ÄÜ ¹ÚÆÇÀ» ¸»ÇÕ´Ï´Ù.
½Ç¸®ÄÜÀº ÀϹÝÀûÀ¸·Î »êȹ° ½Ç¸®ÄÜ(SiO2)À¸·Î ¸ð·¡, ¾Ï¼®, ±¤¹° µîÀÇ ÇüÅ·ΠÁ¸ÀçÇϸç À̵éÀº Áö°¢ÀÇ 1/3Á¤µµ¸¦ ±¸¼ºÇϰí ÀÖ¾î Áö±¸»ó¿¡¼ ¸Å¿ì dzºÎ ÇÏ°Ô Á¸ÀçÇϰí ÀÖÀ¸¸ç µû¶ó¼ ¹ÝµµÃ¼»ê¾÷¿¡ ¸Å¿ì ¾ÈÁ¤ÀûÀ¸·Î °ø±ÞµÉ ¼ö ÀÖ´Â Àç·áÀÏ »Ó¸¸ ¾Æ´Ï¶ó µ¶¼ºÀÌ ÀüÇô ¾ø¾î ȯ°æÀûÀ¸·Î ¸Å¿ì ¿ì¼öÇÑ Àç·áÀÔ´Ï´Ù.
¶ÇÇÑ, ½Ç¸®ÄÜÀ¸·Î ¸¸µé¾îÁø ½Ç¸®ÄÜ ¿þÀÌÆÛ´Â ³ÐÀº Energy Band gap(1.2eV)À» °¡Áö°í Àֱ⠶§¹®¿¡ ºñ±³Àû °í¿Â(¾à 200¡É Á¤µµ±îÁö)¿¡¼µµ ¼ÒÀÚ°¡ µ¿ÀÛ ÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ÀåÁ¡ÀÌ ÀÖ½À´Ï´Ù.
¾Ï¼®¿¡¼ ÃßÃâµÈ ½Ç¸®ÄÜÀº Á¤Á¦°úÁ¤À» °ÅÃÄ °í¼øµµ ´Ù°áÁ¤ ½Ç¸®ÄÜÀ¸·Î Çü¼ºµÇ°í À̸¦ ´Ü°áÁ¤ ½Ç¸®ÄÜ ¿þÀÌÆÛ·Î Á¦Á¶ÇÏ¿© DRAM, ASIC, TR, MOSFET, CMOS, PMOS,...
? ½Ç¸®ÄÜ ¿þÀÌÆÛÀÇ °³¿ä
¿À´Ã³¯ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ Á¦Á¶¿ë Àç·á·Î¼ ±¤¹üÀ§ÇÏ°Ô »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Â ½Ç¸®ÄÜ ¿þÀÌÆÛ(Silicon Wafer)´Â ´Ù°áÁ¤ÀÇ ½Ç¸®ÄÜ(Si)À» ¿øÀç·á·Î ÇÏ¿© ¸¸µé¾îÁø ´Ü°áÁ¤ ½Ç¸®ÄÜ ¹ÚÆÇÀ» ¸»ÇÕ´Ï´Ù.
½Ç¸®ÄÜÀº ÀϹÝÀûÀ¸·Î »êȹ° ½Ç¸®ÄÜ(SiO2)À¸·Î ¸ð·¡, ¾Ï¼®, ±¤¹° µîÀÇ ÇüÅ·ΠÁ¸ÀçÇϸç À̵éÀº Áö°¢ÀÇ 1/3Á¤µµ¸¦ ±¸¼ºÇϰí ÀÖ¾î Áö±¸»ó¿¡¼ ¸Å¿ì dzºÎ ÇÏ°Ô Á¸ÀçÇϰí ÀÖÀ¸¸ç µû¶ó¼ ¹ÝµµÃ¼»ê¾÷¿¡ ¸Å¿ì ¾ÈÁ¤ÀûÀ¸·Î °ø±ÞµÉ ¼ö ÀÖ´Â Àç·áÀÏ »Ó¸¸ ¾Æ´Ï¶ó µ¶¼ºÀÌ ÀüÇô ¾ø¾î ȯ°æÀûÀ¸·Î ¸Å¿ì ¿ì¼öÇÑ Àç·áÀÔ´Ï´Ù.
¶ÇÇÑ, ½Ç¸®ÄÜÀ¸·Î ¸¸µé¾îÁø ½Ç¸®ÄÜ ¿þÀÌÆÛ´Â ³ÐÀº Energy Band gap(1.2eV)À» °¡Áö°í Àֱ⠶§¹®¿¡ ºñ±³Àû °í¿Â(¾à 200¡É Á¤µµ±îÁö)¿¡¼µµ ¼ÒÀÚ°¡ µ¿ÀÛ ÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ÀåÁ¡ÀÌ ÀÖ½À´Ï´Ù.
¾Ï¼®¿¡¼ ÃßÃâµÈ ½Ç¸®ÄÜÀº Á¤Á¦°úÁ¤À» °ÅÃÄ °í¼øµµ ´Ù°áÁ¤ ½Ç¸®ÄÜÀ¸·Î Çü¼ºµÇ°í À̸¦ ´Ü°áÁ¤ ½Ç¸®ÄÜ ¿þÀÌÆÛ·Î Á¦Á¶ÇÏ¿© DRAM, ASIC, TR, MOSFET, CMOS, PMOS, ROM, EP-ROM µî ´Ù¾çÇÑ ÇüÅÂÀÇ Device¸¦ ¸¸µå´Âµ¥ ÀÌ¿ëµË´Ï´Ù.
À̵é Device´Â ¿À´Ã³¯ Àüü »ê¾÷ºÐ¾ß¿¡¼ ¾ø¾î¼´Â ¾ÈµÉ Áß¿äÇÑ ºÎǰµé·Î¼ °¢Á¾ ÀüÀÚÁ¦Ç°, »ç¾÷ ÀÚµ¿È ±â°è, ÄÄÇ»ÅÍ, ÀΰøÀ§¼º µî ¿À´Ã³¯ Àü »ê¾÷ ºÐ¾ß¿¡ ¿µÇâÀ» ¹ÌÄ¡°í ÀÖ½À´Ï´Ù.
±×¸®°í ¶ÇÇÑ, ¸¶ÀÌÅ©·Î ĨÀ» Á¦ÀÛÇϱâ À§Çؼ »ç¿ëµÇ´Â Áß¿äÇÑ ¹ÝµµÃ¼ ¹°Áú·Î ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷¿¡¼ Áß¿äÇÏ°Ô Ãë±ÞµÇ´Â Àç·áµµ ½Ç¸®ÄÜÀÔ´Ï´Ù.
¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚÀÇ Á¦Á¶¿¡¼ ¸¸Á·½º·¯¿î Ư¼ºÀ» °®´Â ½Ç¸®ÄÜÀ» ±¸Çϱâ À§Çؼ ¾ö¼±µÈ ¹°Áú°ú ¹°¸®Àû »óŸ¦ ¸¸Á·Çϴ Ưº°ÇÑ ¼øµµ°¡ ¿ä±¸µË´Ï´Ù.
ÀϹÝÀûÀÎ ¹Ì±¹ÀÇ ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶¾÷üµéÀº ½Ç¸®ÄÜ ¿þÀÌÆÛ¸¦ »ý»êÇÏÁö ¾Ê½À´Ï´Â´Ù.
½Ç¸®ÄÜ ¹°ÁúÀÇ »ý»ê°ú ¿þÀÌÆÛ¿¡¼ÀÇ ½Ç¸®ÄÜ Áغñ´Â ½Ç¸®ÄÜ ¿þÀÌÆÛÀÇ »ý»êÀ» À§ÇÑ °íµµ·Î Àü¹®ÈµÈ °øÀå¿¡¼ ÀÌ·ç¾îÁý´Ï´Ù.
ÀÌ·¯ÇÑ ¿þÀÌÆÛµéÀº ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶È¸»ç¿¡ °ø±ÞµÇ°í ´Ù¾çÇÑ ÇüÅÂÀÇ °øÁ¤À» °íÃļ ¸¶ÀÌÅ©·Î ĨÀÌ Á¦À۵˴ϴÙ.
¿þÀÌÆÛ Á¦Á¶°øÁ¤ ¼³ºñ¿¡¼ »ý»êµÈ ÃÖÁ¾ÀÇ ¸¶ÀÌÅ©·Î Ĩ ǰÁúÀº¡¦(»ý·«)
óÀ½ Á¦Á¶µÇ´Â ½Ç¸®ÄÜ ¿þÀÌÆÛÀÇ Ç°Áú¿¡ Á÷Á¢ÀûÀ¸·Î ÀÇÁ¸ÇÏ°Ô µË´Ï´Ù.
¸¸¾à °âÇÔÀÌ »õ·Î¿î ¿þÀÌÆÛ¿¡ Á¸ÀçÇÑ´Ù¸é ºÐ¸íÈ÷ ¸¶ÀÌÅ©·Î Ĩ¿¡¼µµ °áÇÔÀÌ ¹ß»ýµË´Ï´Ù.
½Ç¸®ÄÜ ¿þÀÌÆÛ¿Í Á¦Á¶°øÁ¤¿¡ ´ëÇÑ ÀÌÇØ´Â Àü¹ÝÀûÀÎ ¸¶ÀÌÅ©·Î Ĩ Á¦Á¶°øÁ¤¿¡¼ ½Ç¸®ÄÜ ¿þÀÌÆÛÀÇ Á߿伺À» ÀÌÇØÇÏ´Â µ¥ µµ¿òÀ» ÁÙ °ÍÀÔ´Ï´Ù.
? ½Ç¸®ÄÜ ¿þÀÌÆÛÀÇ Æ¯¼º
- Àü±âÀû Ư¼º
´Ü°áÁ¤À¸·Î ¼ºÀå½ÃŲ ½Ç¸®ÄÜ °áÁ¤¿¡´Â Àü±âÀüµµµµ¸¦ À§ÇØ ÀǵµÀûÀ¸·Î ÷°¡ÇÑ ºÒ¼ø¹°(B,P,Sb) À̿ܿ¡´Â °¡´ÉÇÑ ÇÑ ºÒ¼ø¹°À» ¾ïÁ¦½ÃÄÑ¾ß Çϸç, °áÁ¤¼ºÀå(Crystal Growing)½Ã ÀÎÀ§ÀûÀ¸·Î ÁÖÀԵǴ µµÆÇÆ®(Dopant) ¿¡ ÀÇÇØ µµÃ¼(Conductor)¿Í ºÎµµÃ¼(Insulator) »çÀÌÀÇ Àü±âÀüµµµµ¸¦ °¡Áö¸ç, À̸¦ ¹ÝµµÃ¼(Semiconductor)¶ó°í ÇÕ´Ï´Ù.
- °áÁ¤ Ư¼º
½Ç¸®ÄÜ ¿þÀÌÆÛ´Â °í¼øµµÀÇ ´Ù°áÁ¤ ½Ç¸®ÄÜÀ» ¿ëÀ¶½ÃÄÑ Æ¯Á¤¹æÇâÀ¸·Î ¼ºÀå½ÃŲ ´Ü°áÁ¤ ½Ç¸®ÄÜÀ¸·Î¼ ÀÌ ¼ºÀå ¹æÇâÀº Device Process¿¡ ±â°èÀû Ư¡(Mechanical Properties), È®»ê(Diffusion), ½Ä°¢(Etching) µî¿¡ ¿µÇâÀ» ³¢Ä¨´Ï´Ù.
-°¡°ø Ư¼º
½Ç¸®ÄÜ ¿þÀÌÆÛÀÇ Ç¥¸éÀº Device ProcessÀÇ ¿øÈ°ÇÔ°ú °íǰÁú ȸ·Î¸¦ ±¸¼ºÇϱâ À§ÇØ, ȸ·Î Á¦Á¶½Ã Ä¡¸íÀûÀÎ ¿µÇâÀ» Áִ ǥ¸é Damage(Particle, Scratch) ¶Ç´Â ¹Ì·®ÀÇ ÈÇÐÀû ¼ººÐÀÌ Ç¥¸é¿¡ ÀÜÁ¸Çؼµµ ¾ÈµÇ¸ç, ±ØµµÀÇ Æòźµµ(Flatness)°¡ ¿ä±¸µË´Ï´Ù.
µû¶ó¼ Slicing, Lapping, Polishing ÀÛ¾÷½Ã ¹Ì¼¼ÇÑ Áøµ¿(Vibration)µµ ¾ïÁ¦µÇ¾î¾ß Çϸç, ¿þÀÌÆÛ´Â ¼ÕÀ¸·Î ¸¸Á®¼µµ ¾ÈµË´Ï´Ù.
¶ÇÇÑ Àü±âÀû Ư¼ºÀÌ ¾ø´Â ¹°(Deionized Water)·Î ¼¼Ã´ÇÏ¿© Ç¥¸é Á¤Àü±â¸¦ ¹æÁöÇϰí, ûÁ¤½Ç(Cleanroom)¿¡¼ÀÇ ÀÛ¾÷À¸·Î °íµµÀÇ Ã»°áÀ» À¯ÁöÇØ¾ß ÇÕ´Ï´Ù.
? ½Ç¸®ÄÜ ¿þÀÌÆÛÀÇ ºÐ·ù
- 300mm¿þÀÌÆÛ
¹ÝµµÃ¼ ȸ·Î°¡ °íÁýÀûȵʿ¡ µû¶ó »ç¿ëµÇ´Â ½Ç¸®ÄÜ ¿þÀÌÆÛÀÇ ±Ô°ÝÀÌ ´õ¿í ¾ö°ÝÇØ Áö°í,
|