삼성전자DS 메모리사업부 반도체공정설계직(신입경력) 면접 기출 핵심 50선 및 실제 면접후기 8인

1. 삼성전자DS 메모리사업부 반도체공정설계직 면접 가이드

1.1 반도체 공정설계 직무의 핵심 역할 및 차세대 메모리 기술 트렌드 분석
삼성전자 DS부문 메모리사업부의 반도체 공정설계 직무는 DRAM, NAND Flash, HBM 등 초고밀도 메모리 제품의 양산성 확보 및 스케일링(Scaling) 한계 극복을 진두지휘하는 핵심 엔진입니다. 공정설계 엔지니어는 단순 단위 공정의 제어를 넘어, 소자 특성(Device Physics)과 단위 공정(Photo, Etch, Thin Film, Diff, CMP) 간의 유기적 인터페이스를 설계하고, 웨이퍼 상에 수십억 개의 패턴이 정밀하게 형성되도록 전체 Integration 프로세스를 총괄합니다. 최근 DRAM 분야에서는 10nm급 이하(1b, 1c, 1d)로 미세화됨에 따라 EUV 노광 공정의 다층 적용, High-k 유전막 및 3D DRAM 기술 전환이 화두이며, NAND 분야에서는 300단 이상의 Ultra-high 3D NAND 적층을 위한 HARC(High Aspect Ratio Contact) 에칭 기술 및 COP(Cell on Peri) / BV(Bonded Wafer) 공정 고도화가 핵심 이슈입니다. 신입 및 경력 지원자는 이러한 초미세화 과정에서 발생하는 Parasitic Capacitance, Leakage Current, RC Delay, Pattern Bridge
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