본문/내용
Ⅰ. 면접 핵심 포인트
1. CMP 공정과 Slurry의 역할에 대한 정확한 이해
CMP는 Chemical Mechanical Polishing의 약자로, 화학적 반응과 기계적 연마를 동시에 이용해 웨이퍼 표면을 평탄화하는 공정입니다. 반도체 회로가 다층화되고 선폭이 미세해질수록 각 층의 높이 차이를 정밀하게 제거해야 다음 노광과 증착 공정을 안정적으로 수행할 수 있습니다.
CMP Slurry는 연마입자와 화학 첨가제, 분산매 등으로 구성되며 연마 대상 막질과 요구 성능에 따라 조성이 달라집니다. 동진쎄미켐은 CMP Slurry를 연마 대상 막질에 따라 크게 Oxide Slurry와 Metal Slurry로 구분하며, 연마입자와 기능에 따라 다시 세분화하고 있습니다.
면접에서는 CMP Slurry를 단순한 연마액이라고 설명해서는 부족합니다. 제거율, 선택비, 평탄도, 결함, 스크래치, 디싱과 에로전, 입도 안정성 등 여러 성능을 동시에 만족시켜야 하는 정밀 공정 소재라는 관점이 필요합니다.
양산화 담당자는 조성의 성능뿐 아니라 대량 제조 시 동일한 성능이 반복적으로 구현되는지 확인해야 합니다. 따라서 화학적 이해, 설비와 공정조건, 품질 데이터, 고객 공정에 대한 종합적인 이해가 요…