(동진쎄미켐 면접자료) 반도체용 CMP Slurry 개발(신입) 면접질문 및 답변, 2026면접기출

Ⅰ. 면접 핵심 포인트

1. CMP Slurry를 단순 연마제가 아닌 화학반응과 기계적 연마를 정밀하게 제어하는 공정소재로 이해하기

CMP는 연마입자가 표면을 물리적으로 깎는 과정만을 의미하지 않습니다. Slurry 내 산화제, 착화제, 부식방지제, 계면활성제와 같은 화학성분이 웨이퍼 표면과 반응해 제거하기 쉬운 층을 형성하고, 연마입자와 패드가 이를 기계적으로 제거하는 복합공정입니다. 따라서 소재 개발자는 연마입자의 경도와 입도만 보는 것이 아니라 화학반응 속도, 표면전하, 분산성, pH, 첨가제 간 상호작용을 함께 고려해야 합니다.

면접에서는 제거율이 높을수록 좋은 Slurry라고 단순하게 답하지 않아야 합니다. 지나치게 높은 제거율은 표면 거칠기 증가, 패턴 손상, 스크래치와 같은 문제를 만들 수 있습니다. 우수한 Slurry는 고객이 원하는 막질을 일정한 속도로 제거하면서도 다른 막에 대한 손상을 최소화하고, 웨이퍼 전체에서 균일한 평탄화 성능을 보여야 합니다. CMP Slurry 개발은 하나의 수치를 극대화하는 연구가 아니라 충돌하는 성능지표 사이에서 최적점을 찾는 연구라는 관점이 중요합니다.
2. Ceria 입자의 합성조건과 입도형