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삼성전자 DS 직무면접 PT면접 기출문제 총정리

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삼성전자 DS 직무면접 PT면접 기출문제 총정리 입니다

좋은 결과가 있으시길 항상 응원합니다

목차/차례

  1. 1. 평가 및 분석
  2. 2. 공정 설계
  3. 3. 공정 기술
  4. 4. 설비 기술

본문/내용

1. 평가 및 분석

Q1. HBM 단수 증가에 따른 발열 해소와 신뢰성 확보 방안은 무엇인가요?
HBM의 적층 단수가 높아짐에 따라 칩 사이의 열 저항이 증가하며 발생하는 발열은 신뢰성의 최대 걸림돌입니다. 이를 해결하기 위해 기존의 열전달 소재보다 성능이 뛰어난 소재를 적용하고 물리적인 구조를 개선해야 합니다. 구체적으로는 칩 사이를 채우는 물질을 열전도율이 높은 하이앤드 소재로 교체하거나 칩 두께를 얇게 가공하여 열 경로를 단축하는 방식이 활용됩니다. 또한 하이브리드 본딩 기술을 도입하여 칩 간 간격을 최소화하고 구리 연결 부위를 직접 접합함으로써 전력 효율을 높여 근본적인 발열량을 줄일 수 있습니다. 신뢰성 확보를 위해서는 고온 가속 수명 시험과 온도 사이클 시험을 통해 적층된 칩의 박리나 균열 여부를 엄격히 검증합니다. 실제 양산 과정에서는 칩 내부에 열 센서를 배치하여 실시간으로 온도를 모니터링하고 과열 시 동작 속도를 조절하는 로직을 포함하기도 합니다. 이러한 다각적인 분석과 공정 개선을 통해 수직 구조의 열 한계를 극복하는 것이 핵심입니다.

Q2. 이종 재료 간 열팽창 계수 차이로 인한 박리 현상을 어떻게 분석…



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I D : choi*******
Date : 2026-05-14
FileNo : 40533600

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