º»¹®/³»¿ë
1. Áö¿øµ¿±â ¹× ÇâÈÄ °èȹ, Àü Á÷Àå Åð»ç µ¿±â
¡°ÇѰ踦 ±ú´Â ±â¼úÀÇ ÀüȯÁ¡¿¡ ¼°í ½Í¾ú½À´Ï´Ù¡±
2xxx³â ¹ÝµµÃ¼ ¾÷°è¿¡ ù ¹ßÀ» µé¿´À» ¶§ºÎÅÍ Áö±Ý±îÁö, ´Ã ÇöÀåÀÇ ¹®Á¦¸¦ Á÷Á¢ ÇØ°áÇÏ¸ç ±â¼úÀÇ ÃÖÀü¼±¿¡ ¼ ÀÖ¾ú½À´Ï´Ù. ƯÈ÷ °øÁ¤ ¾ÈÁ¤È¿Í ¼öÀ² °³¼±À̶ó´Â ¹Ýº¹µÇ´Â °ú¾÷ ¼Ó¿¡¼µµ, ÀÇ¹Ì ÀÖ´Â °á°ú¸¦ ¸¸µé¾î³»±â À§ÇØ ²÷ÀÓ¾øÀÌ ¡®´Ù¸£°Ô¡¯ Á¢±ÙÇÏ·Á´Â ³ë·ÂÀ» ÇØ¿Ô½À´Ï´Ù. ±×·± ŵµ°¡ ½º½º·Î¸¦ ¼ºÀå½ÃÄ×°í, Áö±ÝÀÇ ¹æÇ⼺À» ¸¸µé¾ú½À´Ï´Ù.
°æ·Â Ãʱ⿡´Â µð½ºÇ÷¹ÀÌ¿ë DDI Å×½ºÆ® ¾÷¹«¸¦ ´ã´çÇϸç Àü±âÀû Ư¼º ºÐ¼®À» ÀÍÇû°í, ÀÌÈÄ¿¡´Â NAND °øÁ¤ ¿£Áö´Ï¾î·Î¼ ¹Ì¼¼È °øÁ¤ÀÇ ÆÐÅÏ ±ÕÀϼº È®º¸, ºÒ·® ¿äÀÎ Á¦°Å, Àåºñ °£ ÆíÂ÷ º¸Á¤ µî º¸´Ù º»ÁúÀûÀÎ ¹®Á¦¿¡ ÁýÁßÇØ¿Ô½À´Ï´Ù. ƯÈ÷ 3D NAND Cell °øÁ¤¿¡¼ ³ªÅ¸³ª´Â ¼¿ °£ °£¼·(Crosstalk) ¹®Á¦¿Í Gate Induced Drain Leakage(GIDL) Çö»óÀ» °³¼±Çϱâ À§ÇÑ ÇÁ·ÎÁ§Æ®¿¡ Âü¿©ÇßÀ» ¶§, ¹®Á¦ ÇØ°áÀÇ ½Ç¸¶¸®´Â ±âÁ¸ÀÇ °øÁ¤ Á¶°Ç º¯°æÀÌ ¾Æ´Ñ ÀüÇô ´Ù¸¥ °¢µµ¿¡¼ ³ª¿Ô½À´Ï´Ù. ÀϹÝÀûÀÎ ¿¡Äª Á¶°Ç º¸Á¤ÀÌ ¾Æ´Ñ »õ·Î¿î ½Ä°¢ °¡½º¸¦ Àû¿ëÇØ ÀÜ·ù »êȹ°À» ÃÖ¼ÒÈÇß°í, ÀÌÈÄ Àüó¸® °øÁ¤ Áß º£ÀÌÅ© Á¶°ÇÀÇ ¹üÀ§¸¦ È®Àå½ÃÄÑ ¾ÈÁ¤Àû ¡¦(»ý·«)