[면접 합격자료] 현대모비스 SiC MOSFET 전력반도체 개발 합격 문항 기출 최종합격

1. 현대모비스의 SiC MOSFET 전력반도체 개발에 있어 중요한 기술적 도전 과제는 무엇이라고 생각합니까

현대모비스의 SiC MOSFET 전력반도체 개발에 있어 가장 중요한 기술적 도전 과제는 높은 온도에서의 안정성과 신뢰성 확보입니다. SiC MOSFET은 실리콘에 비해 열적 특성이 뛰어나지만, 고온 환경에서의 소자 안정성과 장기 신뢰성 확보는 아직도 과제로 남아 있습니다. 또한, 낮은 온저항(Rds(on))과 높은 전류 전달 능력을 유지하면서도 스위칭 손실을 최소화하는 설계 최적화도 중요한 이슈입니다. 실제로, SiC MOSFET의 온저항은 5 mΩcm² 이하로 설계해야 하며, 스위칭 손실은 50% 이상 줄이기 위해서 빠른 게이트 전압 제어가 필요합니다. 제조 공정 역시 높은 수율과 신뢰성을 위해 고객 맞춤형의 미세 공정 기술이 요구되며, 이를 위해 원자층 증착(ALD) 및 감광기술 등을 적용하며 높은 비용과 복잡성에 직면하고 있습니다. 또한, 드리프트 영역에서의 결함 제어와 소자 내부의 결함 제어 역시 높은 전압 환경에서의 안정성 확보에 중요한 변수입니다. 이러한 기술적 도전 과제들을 해결하기 위해 고온 테스트, 신뢰성 시험, 그리고 나노공정 기술의 …