본문/내용
1. TOPCon 공정의 기본 원리와 구조에 대해 설명해 주세요.
TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact) 공정은 높은 효율과 안정성을 갖춘 실리콘 태양전지를 제작하는 핵심 기술입니다. 이 공정은 얇은 산화막(보통 1~2 nm 두께)을 실리콘 표면에 형성 후, 은 또는 알루미늄과 같은 금속을 증착하여 터널 산화막을 통해 전자 및 정공을 전달하는 구조로 이루어져 있습니다. 산화막은 표면 재결합을 방지하여 표면 재생화 특성을 높이며, 전자수송이 우수한 낮은 저항값을 유지합니다. 구체적으로 2020년대 초 K의 실리콘 태양전지 효율은 23%를 넘어섰으며, TOPCon 셀은 기존 PERC 대비 약 0. 5% 포인트 이상의 효율 향상을 보였으며, 실리콘 표면의 재결합속도는 50% 이상 낮춰졌습니다. 또한, TOPCon 구조는 산화막의 안정성과 전하수송 특성을 결합해 25년 이상의 신뢰성을 보장하며, 제조공정은 실리콘 표면 클리닝, 산화막 형성, 금속 증착, 열처리 단계를 포함하여 정밀하게 제어됩니다. 이 기술은 특히 이방성 태양전지 성능 향상과 저비용 대량생산에 유리하여 여러 글로벌 기업에서 대규모 상용화가 진행되고 있습니다.
2. 한화솔루션 큐셀부문의 TOPCon 공정…