[면접 합격자료] 한국나노기술원 공정(습식 식각) 합격 문항 기출 최종합격

1. 습식 식각 공정의 기본 원리를 설명해 주세요.

습식 식각 공정은 주로 화학용액을 이용하여 실리콘 또는 다른 재료의 표면을 선택적으로 제거하는 방법입니다. 이 공정은 화학적 반응과 물리적 세척 작용을 결합하여 재료를 원하는 형태로 가공하는 데 사용됩니다. 일반적으로 산 또는 염기성 용액이 사용되며, 예를 들어 HF, HCl, H3PO4 등의 화학물질이 적용됩니다. 이 과정에서 실리콘 산화막 또는 불필요한 금속 등을 선택적으로 용해시키고, 이를 통해 미세한 패턴 형성이나 두께 조절이 가능합니다. 습식 식각의 주요 특징은 높은 식각 속도와 우수한 평탄도를 달성할 수 있으며, 특히 초기에 빠른 제거가 필요하거나 큰 면적을 대상으로 할 때 효과적입니다. 예를 들어, 실리콘 산화막을 HF 수용액으로 5분간 처리하면 두께 100nm 이상을 선택적으로 제거할 수 있으며, 식각률은 화학물질 농도와 온도에 따라 조절됩니다. 또한, 습식 식각은 표면 손상이나 오버에칭 가능성이 있어, 이를 방지하기 위해 섬세한 공정 제어와 세척 공정이 함께 수행됩니다. 고도로 미세한 패턴을 위해 습식 식각과 건식 식각을 병행하는 경우도 많으며, 최근에는 세정 기술 발전으…