[면접 합격자료] 한국나노기술원 공정 습식-식각 합격 문항 기출 최종합격

1. 습식 식각 공정의 기본 원리는 무엇인가요

습식 식각 공정은 액체 화학 용액을 이용하여 재료의 표면을 선택적으로 제거하는 방법입니다. 이 공정의 기본 원리는 화학 반응을 통해 표적 재료와 반응하는 용액을 사용하여 필요한 패턴이나 구조를 형성하는 데 있습니다. 예를 들어, 실리콘 웨이퍼의 산화막 제거 시, 종종 HF(불산)를 사용하며, 이 용액은 실리콘 산화막과 빠르게 반응하여 실리콘 자체는 거의 영향을 받지 않도록 선택적으로 식각하게 설계되어 있습니다. 주로 사용되는 습식 식각액은 HCl, HNO3, HF, 그리고 각종 산과 염기 용액이 있으며, 이들 용액의 농도, 온도, 시간 등에 따라 식각 속도와 선택성이 결정됩니다. 습식 식각의 일반적인 속도는 실리콘 산화막 기준 50~200 nm/min로, 온도와 농도에 따라 차이가 큽니다. 예를 들어, HF 농도를 5%로 유지하면 산화막 제거 속도는 약 100 nm/min 이상이며, 이 방법은 고속으로 널리 사용됩니다. 따라서 습식 식각은 높은 균일성, 저비용, 처리량이 높아 대량 생산에 적합하지만, 미세 구조의 정밀도와 세밀한 패턴 구현에는 한계가 있어 건식 식각과 병행하여 사용됩니다.

2. 습식 식각 공정에서 …