[면접 합격자료] 한국나노기술원 [무기계약직] 화합물반도체 소자공정 합격 문항 기출 최종합격

1. 화합물반도체 소자공정에 대해 설명해 주세요.

화합물반도체 소자공정은 주로 GaN, InP, GaAs 등과 같은 화합물을 이용하여 반도체 소자를 제조하는 과정입니다. 이 공정은 탑재된 특성에 따라 LED, 레이저 다이오드, 고속 통신용 트랜지스터 등에 활용됩니다. 구체적으로 외부형 증착법인 MOCVD 혹은 MBE를 통해 희유 기체와 원료를 공급하여 화합물을 증착하는 단계가 핵심입니다. 예를 들어, Gallium Nitride(GaN) 기반 LED 제조 시, InAlGaN 계열을 2~4 μm 두께로 증착하는데, 증착 후 배선, 형광체 코팅 등 후속 공정을 거쳐 제조됩니다. 미국, 일본과 함께 글로벌 시장 점유율 50% 이상을 확보하고 있으며, 삼성전자는 2xxx년 8인치 웨이퍼에서 GaN 증착 공정 발전으로 LED 효율이 150lm/W를 기록하였고, 수율도 95% 이상 유지됩니다. 화합물반도체는 일반 실리콘보다 각각의 밴드갭이 크기 때문에 고속·고전압 특성을 가지며, 소형화 및 고집적화에 적합합니다. 이 공정을 통해 제조된 소자는 수백 나노미터 크기에서 수 만 볼트 전압에서도 안정적인 동작이 가능하여 통신, 조명, 디스플레이 산업에서 핵심 역할을 수행하고 있습니다. 또한, 기존 실리콘…