[면접 합격자료] 하나머티리얼즈 Etching Cleaning 공정Eng 합격 문항 기출 최종합격

1. Etching 및 Cleaning 공정의 기본 원리를 설명하시오.

Etching 및 Cleaning 공정은 반도체 제조에서 핵심적인 역할을 담당하며, 미세패턴을 형성하거나 불순물 제거를 위해 수행됩니다. Etching은 선택적으로 표면의 재료를 제거하는 공정으로, 건식과 습식으로 나뉩니다. 건식 Etching은 플라즈마 또는 반응성 가스를 이용하여 미세한 패턴을 정밀하게 형성할 수 있으며, 이때 사용하는 가스는 일반적으로 CF₄, SF, Cl₂ 등이 포함됩니다. 습식 Etching은 화학 용액을 사용하여 재료를 부식시키는 방식으로, 예를 들어 실리콘 산화막 제거 시 HF 용액이 활용됩니다. Cleaning 공정은 표면에 남아있을 수 있는 잔류물, 오염물 제거를 통해 품질 향상에 기여하며, 주로 플라즈마 세정, 화학세정, 습식 세정 방법이 포함됩니다. 예를 들어, ultra-clean 공정을 통해 1nm 이하 잔류물 제거가 가능하며, 이를 위해 NF₃, O₂ 플라즈마를 적용하는 경우도 많습니다. 2022년 통계에 따르면, Etching 공정 후 Cleaning을 적절히 수행하지 않으면 소자 불량률이 15% 이상 증가하는 것으로 나타났으며, 이로 인해 수율 저하와 생산 비용 증가로 연결됩니다. 따라서, Etching과 …