[면접 합격자료] 티씨케이 생산 CVD운영 합격 문항 기출 최종합격

1. CVD 공정의 기본 원리와 핵심 단계에 대해 설명해 주세요.

CVD(화학기상증착)는 기판 위에 화학 반응을 통해 고체 박막을 증착하는 공정입니다. 핵심 원리는 기체 상태의 전구체(가스)가 반응 챔버 내에서 열이나 플라스마에 의해 활성화되어 기판 표면에 화학 반응이 일어나면서 고체 박막이 형성됩니다. 일반적으로 전구체와 환원제 또는 반응 가스를 기체 공급로를 통해 공급하며, 특정 온도와 압력 조건에서 증착됩니다. 예를 들어, 실리콘 박막 증착 시 실리콘 테트라클로라이드(SiCl가 주로 사용되며, 850~950도 온도 구간에서 열적 CVD가 수행됩니다. 핵심 단계는 기체 공급, 활성화, 기판 표면에 화학 반응, 그리고 박막 성장입니다. 수 μm 두께의 박막은 보통 수 분 내에 증착하며, 증착 속도는 공정 조건에 따라 1~10 nm/sec까지 다양하게 조절됩니다. 플라스마 CVD는 증착 속도를 높이고 균일성을 향상시켜서 300 mm 실리콘 웨이퍼에서도 균일도 ±2% 이내를 유지할 수 있어 산업적으로 널리 활용됩니다. CVD 공정의 안정성과 수율 향상을 위해 진공도의 유지, 반응 가스의 순도, 그리고 온도 제어가 중요하며, 이 공정을 통해 반도체, 디스플레이, 태…