[면접 합격자료] 티씨케이 생산(GR가공 및 CVD운영) 합격 문항 기출 최종합격

1. 티씨케이의 GR 가공 및 CVD 운영 과정에 대해 설명해보세요.

티씨케이의 GR 가공 및 CVD 운영 과정은 고순도 실리콘 웨이퍼 제조를 위한 핵심 공정입니다. 원자재인 폴리실리콘 또는 PET(Polyethylene Terephthalate)를 정제하여 고순도 실리콘 잉곳을 제조합니다. 이후, 이 잉곳을 150mm 또는 200mm 크기의 웨이퍼로 절단하고 표면을 연마하여 평탄도를 높입니다. 이후 세척 과정을 거쳐 먼지와 오염물질을 제거하며, 이 과정에서 세척 수질과 화학약품의 품질이 제품의 품질에 큰 영향을 미칩니다. 이후, 실리콘 웨이퍼는 건식 또는 습식 산화 공정을 통해 산화막을 입히거나, 금속 증착 및 패터닝 공정을 수행하여 다양한 전자소자 핵심 구조를 제작합니다. CVD(화학기상증착)는 실리콘 또는 산화막, 질화막 등을 균일하게 증착하기 위해 사용되며, 이 과정은 실리콘 웨이퍼를 반응로에 넣고 보통 400-900도 사이의 온도에서 가스 상태의 전구체를 분해·반응시켜 얇은 막을 형성하는 방식입니다. 특별히 티씨케이는 100% 자동화된 반응로 시스템을 도입하여, CVD 공정의 안정성을 높이고 오염을 차단하며, 공정에서 100% 고순도 가스를 공급하여 평균 증착 두…