[면접 합격자료] 티씨케이 CVD운영 합격 문항 기출 최종합격

1. CVD 공정의 기본 원리와 주요 공정 단계에 대해 설명해 주세요.

CVD(화학증착)는 기체 상태의 전구체를 이용하여 기판 표면에 박막을 증착하는 공정입니다. 이 공정은 화학 반응을 통해 기체를 기판 표면에 화합물로 변환시켜 두께를 성장시키는 원리로 작동합니다. 주요 단계는 먼저 기판 세정으로 먼지와 유기물을 제거하는 전처리 과정을 거치며, 이후 고온의 반응 챔버에 넣어 전구체를 기화시킵니다. 전구체의 기체는 플라즈마 또는 열을 이용하여 활성화되어 기판 표면에 부착되고 화학반응을 통해 탄소, 실리콘 등을 증착합니다. 예를 들어, 실리콘 CVD 공정에서는 650~700도 사이의 온도에서 SiH4 또는 TEOS 등의 전구체를 사용하여 실리콘 산화막을 증착하며, 증착 속도는 1~2 nm/분 수준입니다. 또한, 박막의 두께와 균일성은 주기적인 공정 조건 최적화와 가스 유량 제어를 통해 99% 이상의 균일도를 유지할 수 있습니다. 이를 통해 반도체, 태양전지, MEMS 등 다양한 분야에 응용되고 있으며, 증착 품질과 생산성을 높이기 위해 공정 조건을 지속적으로 개선하고 있습니다.

2. 티씨케이의 CVD 설비를 운영할 때 가장 중요한 안전 수칙은 무엇이라고 생…