[면접 합격자료] 온세미컨덕터 Process Engineer(Photo Etch) 합격 문항 기출 최종합격

1. 사진식각 공정에 대한 기본 원리와 주요 공정 단계를 설명해 주세요.

사진식각 공정은 감광제를 이용하여 웨이퍼 상의 특정 부분만 선택적으로 제거하는 공정입니다. 웨이퍼 표면에 감광제를 고르게 도포한 후, 마스크를 통해 원하는 패턴을 노광합니다. 노광 후 현상 과정을 거치면 패턴이 감광제에 남거나 제거되어 음식 내용을 형성합니다. 이후 식각 단계에서는 화학식 또는 건식 식각 장비를 통해 노출된 부분만 선택적으로 제거하며, 이때 선택적 식각률은 수백 배 이상 차이날 수 있습니다. 예를 들어, 오픈 마스크 패턴에 따라 10㎚ 두께의 박막에도 1~2분 내에 80% 이상의 제거율이 달성됩니다. 정확한 패턴을 유지하려면 레지스트 두께는 통상 1~2㎛로 조절하며, 식각은 플라즈마 식각 또는 화학적 식각 기법으로 진행됩니다. 이 공정은 CMOS, MEMS 등 첨단 반도체 소자 제조에 필수적이며, 수율 향상과 미세화 기술 발전을 이끄는 핵심 역할을 수행합니다. 최신 기술로는 이온빔 식각이나 저압 플라즈마를 도입하여 수십 나노미터 단위의 정밀성을 확보하는 것이 중요하며, 공정 제어로는 두께 편차 3% 이내, 패턴 선명도 90% 이상을 유지하는 것이 목표입…