[면접 합격자료] 아이쓰리시스템 반도체 공정 엔지니어 부문 합격 문항 기출 최종합격

1. 반도체 공정 과정에 대해 설명해보세요.

반도체 공정 과정은 웨이퍼 준비, 표면 세정, 산화, 광학적 감광, 노광, 현상, 식각, 증착, 이온 주입, 평탄화, 검사 및 테스트 순으로 진행됩니다. 웨이퍼는 직경 300mm 기준으로 제작되며, 세척을 통해 먼지 및 유기물을 제거합니다. 산화 단계에서는 산소 또는 화학기체를 이용해 실리콘 표면에 산화막(보통 실리콘 산화막 두께는 10~20nm)을 생성하여 절연층 역할을 하도록 합니다. 이후 감광액에 도포하여 원하는 패턴을 광학 현상으로 형성하고, 노광 장비를 통해 빛을 조사하여 패턴을 전사합니다. 현상 과정에서는 현상액을 이용해 노광된 패턴만 남기고 제거하며, 이후 식각 공정을 통해 노출된 곳을 제거하거나 보호합니다. 화학적 또는 플라즈마 식각이 가장 많이 활용됩니다. 증착 단계에서는 원자층 증착(ALD) 또는 화학기상증착(CVD)를 이용하여 박막을 형성하며, 이 과정에서 증착 수율은 99% 이상이 요구됩니다. 이온 주입 공정은 표적 도핑 농도 10^20 atoms/cm³ 이상을 확보하며, 이후 평탄화 공정을 통해 표면을 평평하게 만듭니다. 마지막으로 육안검사와 전기적 테스트를 거쳐 결함률을 낮추는 노력…