[면접 합격자료] 실리콘웍스 SRAM 합격 문항 기출 최종합격

1. SRAM의 기본 동작 원리를 설명하시오.

SRAM(Static Random Access Memory)은 고속의 데이터 저장장치로서 플립플롭(flip-flop)을 기본 기억소자로 사용하여 데이터를 저장합니다. 각각의 비트는 6개의 트랜지스터로 이루어진 회로 구조를 갖추고 있으며, 데이터를 유지하기 위해 전원이 공급되는 동안 전력이 필요합니다. 저장된 데이터는 두 개의 인버터와 두 개의 전이 버퍼로 이루어진 서킷에 의해 유지됩니다. 한 비트당 트랜지스터 수는 6개이며, 이 구조는 빠른 읽기와 쓰기를 가능하게 합니다. SRAM은 주로 캐시 메모리에서 사용되어 CPU와 주기억장치 사이의 인터페이스 역할을 하며, 액세스 시간이 1~3나노초로 DRAM보다 훨씬 빠릅니다. 예를 들어, 2020년 대형 서버의 캐시에서 85% 이상이 SRAM으로 구성되어 있으며, 데이터 처리 속도를 4배 이상 향상시킵니다. 또, 낮은 지연 시간 덕분에 실시간 데이터 처리 및 응답 시스템에서 필수적으로 활용됩니다. 하지만, 소모 전력이 크고 제조 공정이 복잡하며 가격이 높아 대량 저장용은 제한적입니다. 따라서 고속 연산과 캐시 메모리 용도로 주로 사용되며, 실시간 시스템의 성능 향상에 중요한 역할을 합니다…