본문/내용
1. 반도체 공정 기술의 핵심 원리와 최근 발전 동향에 대해 설명하시오.
반도체 공정 기술은 미세화와 성능 향상을 위해 다양한 공정 단계와 첨단 기술이 적용됩니다. 핵심 원리는 웨이퍼 표면의 정밀 패터닝, 증착, 식각, 이온주입 등을 통해 소자의 전기적 특성을 제어하는 데 있습니다. 최근 발전 동향으로는 2nm 이하 공정 기술 개발이 활발히 진행되고 있으며, 극자외선(EUV) 리소그래피 활용이 보편화되고 있습니다. EUV 기술은 1 5nm 파장으로 기존 DUV보다 해상도를 2배 이상 향상시켜, 회로선 폭을 1nm 단위로 미세화하는 데 기여하고 있습니다. 또한, 3D 적층 기술인 TSV(Through-Silicon Via)와 FinFET, Gate-All-Around(GAA) 구조 도입으로 소자 밀도를 높이며, 전력 효율성을 개선하고 있습니다. 구체적으로, TSMC는 3nm 공정에서 80억 개 이상의 트랜지스터를 1cm2에 집적 가능하게 하였고, 삼성전자는 최신 5nm 공정에서 1억 개의 트랜지스터를 1μm2에 집중시켰습니다. 전체 시장은 2022년 기준 약 550억 달러 규모로 성장했고, 연평균 성장률은 7%를 유지하며 첨단 공정 기술이 지속적으로 발전하고 있음을 보여줍니다. 이러한 기술적 혁신은 AI, 5G, 고…