[면접 합격자료] 매그나칩반도체 공정 장비 Engineer (ETCH DIFF) 합격 문항 기출 최종합격

1. ETCH 공정에서 주요한 변수들은 무엇이며, 어떻게 제어하나요

ETCH 공정에서 주요 변수들은 건식 또는 습식 에치 공정에 따라 다르지만, 일반적으로 공정 시간, 플레이트 온도, 에이전트 농도, 진공 압력, 가스 유량, RF 인텐시티 등이 핵심 변수입니다. 공정 시간을 정확하게 제어해야 패턴 오버에칭을 방지하고 균일한 식각률을 유지할 수 있습니다. 예를 들어, RF 파워를 300W에서 350W로 조정하면 식각 속도가 약 10% 증가하는 것을 관찰하였으며, 플레이트 온도는 20°C에서 25°C로 유지하여 식각률을 15% 안정시키는 사례가 있습니다. 클로로실란 가스 농도)를 10%에서 15%로 조정하면 식각 선택비가 2에서 5로 향상되었으며, 진공 압력이 낮아질수록 이온 충돌 빈도와 에너지 전달이 증가하여 공정 재현성이 크게 향상되었습니다. 가스 유량은 50 sccm에서 70 sccm으로 조절 시, 식각 균일도는 2%에서 0. 5%로 향상되었으며, 실시간 모니터링 데이터와 통계적 공정 제어(SPC)를 활용하여 변수들을 지속적으로 제어하며 반복되는 공정에서 9 9% 이상의 식각 균일도를 유지하는 사례를 경험하였습니다. 이러한 변수들의 정밀 조정은 공정 안정성과 제품 …