[면접 합격자료] 매그나칩반도체 ETCH 공정 Engineer 합격 문항 기출 최종합격

1. ETCH 공정에서 주요 파라미터는 어떤 것들이 있으며, 각각이 공정 결과에 어떤 영향을 미치는지 설명해주세요.

ETCH 공정에서 주요 파라미터로는 식각 속도, 식각 선택도, 식각 균일성, 온도, 압력, 가스 농도, RF 파워, 클리어런스 등이 있습니다. 식각 속도는 원하는 패턴을 정확히 형성하는 데 중요하며, 빠르면 공정 효율이 높아지고, 느리면 생산 주기가 길어집니다. 식각 선택도는 SiO2, SiN 등 다양한 재료를 구분하여 식각하는 데 영향을 미치며, 낮은 선택도가 유지되어야 불필요한 재료 제거를 방지할 수 있습니다. 식각 균일성은 웨이퍼 전체에서 균일한 식각 깊이를 유지하는 것이며, 통상 ±3% 이내로 조절되어야 품질이 확보됩니다. 온도는 식각 속도와 선택도에 직접 영향을 미쳐, 150~250°C 범위 내에서는 안정적인 공정이 가능하며, 온도 편차가 5°C 이상일 경우 공정 변동성이 증가합니다. 압력은 식각 챔버 내 기체 농도와 이동 속도를 조절하며, 50~150 mTorr 범위에서 일정하게 유지되어야 합니다. 가스 농도는 CF4, SF6 등의 농도 조절을 통해 식각 또는 충돌 방지 역할을 하며, 농도 변화는 식각 속도와 선택도를 수백 ppm 단위…