[면접 합격자료] 램리서치코리아 Etch Depo Process Engineer(석 박사) 합격 문항 기출 최종합격

1. Etch 공정에서 가장 중요한 변수는 무엇이라고 생각하며, 그 이유는 무엇인가요

Etch 공정에서 가장 중요한 변수는 식각 선택성과 균일성이라고 생각합니다. 이는 식각의 미세 제어를 통해 원하는 패턴과 구조를 정확하게 구현할 수 있기 때문입니다. 예를 들어, 특정 SiO2 층을 식각할 때 선택비가 높지 않으면 금속층과의 식각 차이가 커져서 패턴 왜곡이 발생할 수 있으며, 이는 제품 수율 저하와 직결됩니다. 또, 균일성은 wafer 전체에 걸쳐 식각 깊이와 속도의 일관성을 유지하는 것으로, 경험상 평균 식각 속도 1000 A/분에서 ±5% 이내로 균일성을 유지하는 것이 중요합니다. 이를 위해 공정 변수 조절에서 가스 농도, RF 파워, 압력, 온도 등을 정밀하게 제어하는 것이 필수적입니다. 특히, 가스 농도 차이가 1% 이상 차이나면 동시에 여러 개의 wafer에서 식각 깊이 차이가 수십 nm 이상 발생하는 사례를 여러 번 관찰했으며, 이는 수율 저하를 초래하였습니다. 따라서, 이러한 변수들은 식각 품질과 안정성을 확보하는 핵심 요소라고 확신합니다.

2. Deposition 공정과 Etch 공정의 차이점에 대해 설명해 주세요.

Deposition 공정은 반도체 웨이…