[면접 합격자료] 램리서치코리아 Etch Lab Service Engineer 합격 문항 기출 최종합격

1. Etch 공정의 기본 원리와 주요 특징에 대해 설명해 주세요.

Etch 공정은 반도체 제조 공정에서 패턴을 실리콘 또는 기타 기질 위에 선택적으로 제거하는 기술로서, 주로 건식 및 습식 에칭 방법을 사용한다. 건식 에칭인 플라즈마 에칭은 플라즈마 내 이온과 활성 종을 이용하여 재료를 선택적으로 제거하며, 이온 에너지를 조절하여 미세패턴을 형성하는 데 적합하다. 이 공정은 높은 정밀도와 일관성을 제공하며, 수 nm 수준의 정밀도 및 수백 nm에서 수십 μm까지 패턴 크기를 조절할 수 있다. 특히, RF 다이오드 또는 CMP 후에 남은 잔여물 제거, 박막 형성 위한 깊은 에칭 등에 활용되며, 에칭율은 재료, 가스 조성, 압력, 전력 등에 따라 차별화된다. 예를 들어, 실리콘 산화층의 두께 100 nm를 제거하는 데 걸리는 시간은 백열전구보다 짧은 30초 이내이며, MOSFET의 채널 형성 공정에서는 1 nm 오차도 허용하지 않는다. 반응성 가스로는 CF4, SF6, Cl2 등이 주로 사용되며, 각 가스별 에칭 선택성과 공정 안정도를 높이기 위해 최적 조건을 찾는 연구가 지속되고 있다. 이러한 수치와 사례들은 차별화된 공정 제어와 고집적 회로 제조를 가능하게 하며, 글로벌…