[면접 합격자료] 램리서치코리아 Depo (CVD) Process Engineer 합격 문항 기출 최종합격

1. CVD 공정의 기본 원리와 핵심 공정을 설명해 주세요.

CVD(화학적 증착) 공정은 기체 상태의 전구체를 기판 표면에 화학 반응시키거나 분해시켜 고체 박막을 형성하는 공정입니다. 핵심 원리는 기판 온도, 압력, 기체 농도 등을 적절히 제어하여 균일하고 높은 순도로 박막을 증착하는 것에 있습니다. 대표적인 CVD 방법으로는 PECVD(플라즈마 강화 CVD)와 LPCVD(저압 CVD)가 있으며, PECVD는 저온에서도 증착이 가능하여 민감한 기판에 적합합니다. 이 공정은 200°C에서 400°C 범위 내에서 수행되며, 증착 속도는 보통 1~10nm/분 범위로 안정적인 박막 두께를 유지합니다. 예를 들어, 300mm 웨이퍼에 실리콘 산화막을 증착할 때는 50nm 두께를 5분 만에 균일하게 증착하는 것이 가능하였으며, 공정 조건을 미세하게 조절하여 두께 균일도는 ±2% 이내로 유지됩니다. 또한, CVD 기술은 반도체 공정에서 절연막, 금속막, 다층 구조 형성에 중요한 역할을 하며, 공정 조건 최적화로 수율 향상과 비용 절감이 가능하여 생산성을 크게 향상시켰습니다. 수많은 연구와 산업적 경험을 바탕으로, 수십 nm 두께의 박막을 넓은 면적에 균일하게 증착하는 기술이 지…