[면접 합격자료] 램리서치코리아 Conductor Etch Process Engineer 합격 문항 기출 최종합격

1. Conductor Etch 공정에 대한 기본 원리와 핵심 공정 단계를 설명하세요.

Conductor Etch 공정은 반도체 유전층에서 금속 배선을 형성하는 핵심 단계로, 습식 또는 건식 에칭 방식을 활용하여 금속층을 선택적으로 제거하는 과정입니다. 이 공정은 일반적으로 레지스트 마스크를 통해 유도된 패턴에 따라 구멍이나 선형 구조를 형성하며, 프레임워크를 유지하면서 원하는 배선 구조를 정밀하게 만들어줍니다. 핵심 공정 단계는 먼저 레지스트 코팅 후 노광 및 현상 과정을 수행하여 패턴을 형성하며, 이후 반응성 이온 에칭(RIE) 또는 플라즈마 에칭 과정에서 금속층을 선택적으로 제거합니다. RIE 방식은 건식 공정으로, 플라즈마 내에서 반응 기체를 이용하여 금속과 유기 레지스트를 동시에 에칭하며, 이 때 프로세스 조건(전압, 압력, 가스 조성)에 따라 에칭율은 3000 ~ 5000 A/분으로 제어됩니다. 공정 중에 이물성 제거, 균일성, 종료 시점 제어가 중요하며, 이를 위해 실시간 검사와 공정 모니터링을 실시합니다. 최근 2023년 통계에 따르면, Conductor Etch 공정은 공정일별 수율 향상에 직접적인 영향을 미쳐, 불량률이 기존 3%에서 0. 5%로 감소하는 성과를 …