[면접 합격자료] 동진쎄미켐 연구개발 반도체 CVD ALD 증착공정 및 Precursor 개발 합격 문항 기출 최종합격

1. CVD와 ALD 공정의 차이점에 대해 설명해 주세요.

CVD와 ALD는 모두 반도체 제조 공정에서 사용되는 증착 기술로, 둘의 주요 차이점은 증착 원리와 두께 제어 방법에 있습니다. CVD는 화학 반응을 이용하여 기체 상태의 전구체를 기판 표면에 반응시켜 고체 화합물을 증착하는 방법으로, 증착 속도가 빠르고 대면적 증착에 적합하지만, 두께 조절이 어려우며 균일성에 한계가 있습니다. 반면 ALD는 전구체가 순차적으로 기판 표면에 반응하여 정밀하게 증착이 이루어지기 때문에 초미세 두께 조절이 가능하며, 균일성과 재현성이 높습니다. 예를 들어, 2000년대 초반 NIST 연구에서 ALD를 이용해 실리콘 산화막의 두께를 나노 수준으로 조절 가능하며, 두께 오차범위가 1% 미만임이 검증된 바 있습니다. CVD는 증착 속도가 빠른 반면, ALD는 증착 시간을 길게 소요되지만, 1 나노미터 이하의 두께 조절이 필요할 때 주로 선택됩니다. 또한, ALD는 고온에서도 균일한 증착이 가능하여 300도 이상의 고온 공정에서도 안정적인 성능을 보입니다. 시장 통계에 따르면, 최근 10년 간 ALD의 시장 점유율이 연평균 15%씩 증가하고 있으며, 반도체 미세화와 3D 구조에 적합한 기…