[면접 합격자료] 동진쎄미켐 연구개발-반도체 CVD ALD 증착공정 및 Precursor 개발 합격 문항 기출 최종합격

1. CVD와 ALD 공정의 차이점에 대해 설명해 주세요.

CVD(화학적 증착)와 ALD(원자층 증착)는 모두 박막 증착 공정이지만, 증착 원리와 특징에 차이가 있습니다. CVD는 전구체가 기체상태에서 기판 표면에 화학 반응을 일으켜 박막을 성장시키는 공정으로, 증착 속도가 빠르고 수백 나노미터에서 수 마이크로미터 두께까지 빠르게 증착할 수 있습니다. 예를 들어, 실리콘 산화막을 CVD로 증착할 때는 하루 만에 1마이크로미터 이상 증착이 가능합니다. 반면 ALD는 전구체가 교체되면서 투명한 원자층 단위로 증착이 이루어지며, 균일하고 정밀한 두께 조절이 가능합니다. 이는 수십회 반복하는 단일 원자층 증착으로, 두께 오차가 수 백 원자 이내인 것이 특징입니다. 예를 들어, ALD는 트랜지스터의 게이트 산화막(두께 2-5nm)을 균일하게 증착하는 데 훨씬 적합하며, 배터리 전극의 얇은 절연막 제작에 적용되어 수명과 성능 향상에 기여하고 있습니다. 통계적으로 CVD는 생산성 높지만 박막 균일성은 낮은 반면, ALD는 균일성 뛰어나지만 증착 속도는 느립니다. 또한, ALD는 복잡한 기하학적 구조에도 균일한 증착이 가능하여 나노기술 분야에서 핵심 기술로 자리잡고 …