[면접 합격자료] 동진쎄미켐 연구개발-CVD ALD 공정 및 Precursor 개발 합격 문항 기출 최종합격

1. CVD 및 ALD 공정의 기본 원리와 차이점에 대해 설명해 주세요.

CVD(화학적 증착)와 ALD(원자 증착)는 모두 박막 형성에 사용되는 증착 공정이며, 각각의 원리와 차이점이 존재합니다. CVD는 기상상태의 전구체 가스를 기판 표면에 접촉시켜 높은 온도에서 화학반응을 유도하여 박막을 성장시키는 공정입니다. 예를 들어, 실리콘 산화막(Cu₂O) 증착에 있어서 온도는 700~900도 범위 내에 운영됩니다. 반면 ALD는 저온에서 반복적이며 교차하는 전구체 반응으로 박막을 원자 단위로 증착하는 방법입니다. ALD는 온도를 150~300도로 유지하면서 균일한 두께 제어와 고품질 박막을 형성할 수 있으며, 예를 들어 10nm 두께의 알루미늄 산화막을 100회 반복하여 1nm 정밀도까지 두께 조절이 가능합니다. 차이점으로는 CVD는 빠른 증착 속도를 가지며 수십 nm에서 수백 nm 두께를 형성하는데 적합하며, ALD는 느린 증착 속도지만 전기적 특성 및 균일성 면에서 우수한 성능을 보여줍니다. 또한, ALD는 고온 조건이 필요 없기 때문에 민감한 기판에도 사용 가능하며, 디스플레이, 반도체 소자 등에 활용됩니다. 수치상으로 CVD는 초당 수십 nm 증착 가능하지만, ALD는 초당 0.…