[면접 합격자료] 동진쎄미켐 연구개발(연구소)-CMP Slurry 표면개질 개발- 합격 문항 기출 최종합격

1. CMP 슬러리 표면개질 기술에 대해 설명해보세요.

CMP(Chemical Mechanical Planarization) 슬러리 표면개질 기술은 웨이퍼의 표면을 평탄하게 하고, 공정에서 발생하는 오염 및 손상을 최소화하기 위해 슬러리의 표면 특성을 변경하는 기술입니다. 이 기술은 미세한 입자 크기 조절과 표면 계면 활성제를 조합하여 슬러리의 화학적 반응성과 기계적 연마력을 최적화하는 데 초점을 맞춥니다. 예를 들어, 표면개질제를 첨가하면 슬러리의 표면 친화도를 높여 미세입자가 웨이퍼 표면에 균일하게 분포되도록 하며, 불필요한 연마로 인한 표면 손상을 줄입니다. 또한, 표면개질 기술을 적용한 슬러리의 경우, 연마 속도를 20~30% 향상시키면서도 표면 거칠기를 15% 이하로 낮추는 성과를 보입니다. 대표적인 사례로, 300mm 웨이퍼 기준으로 표면개질 슬러리를 사용했을 때, 연마 시간 단축과 함께 표면의 미세 구멍 발생률이 50% 이상 감소하는 실험 결과가 보고되었으며, 이로 인해 생산성을 크게 향상시키고 불량률을 낮출 수 있었습니다. 이러한 기술력은 최근 5년간의 연구개발을 통해 연마 효율이 5배 향상되고, 공정 단계별 비용이 평균 10% 절감되는 성과를 이뤄내…