[면접 합격자료] 동진쎄미켐 연구개발(CVD ALD 공정 및 Precursor 개발) 합격 문항 기출 최종합격

1. CVD 및 ALD 공정에 대한 기본 원리와 차이점에 대해 설명해 주세요.

CVD(화학적 증기 증착)와 ALD(원자층 증기 증착)는 모두 박막 형성에 활용되는 증착 공정이지만, 원리와 특성에서 차이가 있습니다. CVD는 반응물 기체를 반응 챔버 내에 공급한 후 기판 표면에서 화학 반응을 통해 고체 박막을 형성하는 방식입니다. 이 과정은 일괄적이며, 수 nm에서 수십 μm 두께까지 빠르게 증착 가능합니다. 반면 ALD는 기판 표면에 원자층 단위로 반응을 반복하여 균일하고 두께 제어가 정밀한 증착을 진행합니다. ALD는 일반적으로 수십 원자층 수준의 얇은 필름을 안정적으로 형성하며, 이 과정은 유기 금속 화합물 등 전구체(Precursor)를 통해 이루어집니다. CVD는 높은 증착 속도와 넓은 면적 처리에 적합하며, 예를 들어 실리콘 산화막 증착 시 수 μm 수준 증착률을 기록합니다. 반면 ALD는 1A(0. 1nm) 단위의 정밀 제어로 균일성을 유지하며, 특히 5G, 반도체 등 미세공정에서 우수한 두께 균일성을 보여주어 수십 nm 이하의 나노구조 제작에 이용됩니다. 또한, ALD는 저온 공정이 가능하여 열 민감 소재에도 적용할 수 있으며, 박막 두께 오차는 ±1% 미만입니다…