[면접 합격자료] 동진쎄미켐 반도체 CVD ALD 증착공정 및 Precursor 개발 합격 문항 기출 최종합격

1. CVD와 ALD 공정의 차이점에 대해 설명해 주세요.

CVD(화학적 증착)와 ALD(원자층 증착)는 모두 반도체 제조 과정에서 박막 증착을 위한 핵심 공정입니다. CVD는 기체 또는 증기를 기판 표면에 공급하여 고온에서 화학 반응을 일으켜 박막을 형성하는 방법이며, 일반적으로 수십 nanometer부터 마이크로미터 두께까지 증착이 가능합니다. 반면 ALD는 원자단위로 증착하는 공정으로, 두께 조절이 정밀하며 균일한 박막 형성이 강점입니다. 예를 들어, CVD는 10~100 nm 두께의 박막을 빠른 시간에 증착 가능하지만, 두께 균일도는 수십 nanometer 이하에서 한계가 있습니다. 반면 ALD는 1~2 nm의 정밀한 두께 조절과 뛰어난 균일도를 보여주며, 불규칙한 표면이나 미세 구조에도 균일하게 코팅됩니다. 수치적으로 CVD는 일반적으로 100nm당 증착 시간이 수초에서 수분이지만, ALD는 1 nm 증착에 수십 초에서 수 분이 소요됩니다. 또한, ALD는 높은 표면 적합성으로 유전율, 낮은 결함 밀도 등 성능 향상에 기여하며, 드라이아트와 같은 복잡한 구조에도 두께 균일도를 유지할 수 있습니다. 이렇게 CVD와 ALD는 각각 원하는 증착 두께와 품질, 공정 시간에 따라 선택되며, …