[면접 합격자료] 동진쎄미켐 CVD ALD 공정 및 Precursor 개발 합격 문항 기출 최종합격

1. CVD 및 ALD 공정의 기본 원리와 차이점에 대해 설명해 주세요.

CVD(화학기상 증착)와 ALD(원자층 증착)는 박막 증착 공정으로, 둘 다 화학 반응을 이용하여 기판 위에 원하는 재료를 증착합니다. CVD는 고온에서 전구체 기체를 기판 표면에 공급하여 화학 반응을 유도, 기판과 반응성 가스로 인해 증착이 이루어지며, 증착 속도가 빠르고 대량 생산에 적합합니다. 예를 들어, 실리콘 산화막 증착 시 1 nm 두께를 몇 초 내에 증착할 수 있어 대면적에 용이합니다. 반면 ALD는 각 원자층별로 교체 가능한 단일 원자층 증착 방식을 기반으로 하며, 표면에 전구체를 주입한 후 반응 부산물을 배출하는 과정을 반복하여 증착합니다. 이 방식은 초박막 균일성과 두께 제어에 뛰어나서 0. 1 nm 단위까지 정밀하게 두께 조절이 가능하며, 복잡한 형태에도 균일한 증착이 가능합니다. 따라서 ALD는 고집적 반도체, 고성능 배터리, 촉매 표면 등에서 널리 사용되며, 증착 품질이 높아 기술적 발전이 가속화되고 있습니다. 이처럼 CVD는 대량 생산과 빠른 증착속도에 적합하고, ALD는 정밀도와 균일성을 요구하는 분야에 적합합니다.

2. Precursor 개발 시 고려해야 할 핵심 요…