[면접 합격자료] 도쿄일렉트론코리아 Process Engineer Thermal Processing(Diffusion, Thin Film) 합격 문항 기출 최종합격

1. 열처리 공정에서의 Diffusion과 Thin Film 공정의 차이점을 설명하시오.

열처리 공정에서 Diffusion과 Thin Film 공정은 각각 서로 다른목적과 방식으로 진행됩니다. Diffusion은 기체 또는 액체 상태의 원소를 고체 재료 내부에 확산시켜 원하는 농도 분포를 형성하는 공정입니다. 예를 들어, 실리콘 웨이퍼에 불순물을 확산시켜 도펀트 농도를 일정하게 조절하는 것이 대표적입니다. 일반적으로 확산 공정은 온도 900~1200°C에서 수 시간 이상 진행되어, 도펀트 농도는 보통 10^15~10^20 atoms/cm³ 수준입니다. 반면, Thin Film 공정은 특정 재료를 얇은 층으로 증착하는 과정으로서, 화학적 증착(CVD), 증기 증착(), 물리적 증착(PVD)을 이용하여 두께가 수 나노미터에서 수백 나노미터인 필름을 형성합니다. 예를 들어, 실리콘 산화막은 CVD를 이용해서 10~50nm 두께로 증착되며, 이것은 회로 절연, 게이트 산화막 등의 용도로 활용됩니다. Diffusion은 농도 제어와 원소의 재배치를 위해, 온도와 시간 조절이 중요하며, 수십 시간에 걸친 고온 처리로 평균 확산 깊이가 수 미크로미터 수준이지만, Thin Film은 빠른 증착 속도와 정밀한 두께 제어를 필…