[면접 합격자료] 도쿄일렉트론코리아 Process Engineer Etching System (Plasma 합격 문항 기출 최종합격

1. 플라즈마 식각 시스템의 원리와 동작 과정을 설명해 주세요.

플라즈마 식각 시스템은 반도체 제조공정에서 사용되는 중요한 기술로, 미세한 회로패턴을 기판에 정밀하게 새기기 위해 활용됩니다. 이 시스템은 저압 환경에서 가스 혼합물을 플라즈마 상태로 만들고, 이 플라즈마의 이온과 활성종이 표면에 충돌하여 재료를 제거하는 원리입니다. 동작 과정은 진공 펌프를 이용해 챔버 내 압력을 10^-3 Torr 수준으로 낮추고, 식각 가스를 주입합니다. 이후 RF 또는 마이크로파 전력을 인가하여 가스를 이온화시켜 플라즈마를 생성합니다. 생성된 플라즈마 내 이온들은 전기장에 운반되어 표면에 충돌하며, 선택적이고 균일한 식각이 이루어집니다. 이때, 식각 속도는 보통 200~300 nm/min 수준이며, 높은 위치 정밀도와 균일성을 확보할 수 있습니다. 플라즈마의 온도는 수십도 미만으로 유지되어 재료 손상을 최소화하며, 식각 깊이와 미세패턴의 치수 제어는 공정 조건(전력, 가스 농도, 시간 등)을 정밀하게 조절하여 가능하게 됩니다. 최근 5년간, 플라즈마 식각 시스템의 정밀도는 10nm 이하의 미세 패턴 구현에 성공하였으며, 이 기술의 적용 범위는 7nm 이하의 …