[면접 합격자료] 도쿄일렉트론코리아 Field Engineer Single Wafer Deposition(Metal CVD,PVD) 합격 문항 기출 최종합격

1. Metal CVD와 PVD 공정의 차이점을 설명해 주세요.

Metal CVD와 PVD 공정은 금속 층을 형성하는 데 사용되는 증착 방법으로 각각의 특징과 차이점이 있습니다. Metal CVD는 화학반응을 이용하여 기체상 원료를 반응시켜 금속 또는 금속 산화물, 질화물 등을 기판 위에 증착하는 방법입니다. 이 과정은 고온 조건에서 이루어지며, 넓은 면적에 균일한 두께를 형성하는 데 유리합니다. 예를 들어, 실리콘 산화막 두께를 10nm 이상 정밀하게 제어할 수 있으며, 수율이 높아 대량 생산에 적합합니다. 반면 PVD는 물리적인 증착 방법으로, 증발 또는 스퍼터링 기술을 통해 금속 원소를 기판 표면에 물리적으로 침투시키는 방식입니다. PVD는 낮은 온도에서도 증착 가능하며, 복잡한 형상의 기판에 균일하게 증착할 수 있습니다. 그러나, 증착 속도는 CVD보다 느리고, 두께 균일성이나 밀착력 면에서 일부 한계가 있을 수 있습니다. 통계적으로 보면, Metal CVD는 500°C 이상의 온도에서 100nm 두께 증착 시 두께 균일성 오차가 2% 이하입니다. 반면 PVD는 300°C 이하에서도 1nm 수준의 얇은 금속층 증착이 가능하며, 공정 시간은 PVD가 CVD보다 대체로 20% 빠릅니…