[면접 합격자료] 도쿄일렉트론코리아 Field Engineer Single Wafer Deposition(Metal CVD, PVD) 합격 문항 기출 최종합격

1. Metal CVD와 PVD 공정의 차이점에 대해 설명해 주세요.

Metal CVD와 PVD는 모두 금속 박막을 증착하는 공정이지만, 원리와 특성에 차이가 있습니다. Metal CVD(화학 증착)는 기체상 전구체를 열이나 플라즈마 환경에서 화학 반응시켜 기판 표면에 균일하게 증착하는 방식입니다. 이 공정은 높은 증착 밀도와 우수한 막 두께 균일성을 제공하며, 박막 두께 제어가 정밀하여 1nm 단위까지 조절 가능합니다. 반면 PVD(물리적 증착)는 금속 타겟을 기화시켜 증착하는 방식으로, 일반적으로 스퍼터링이나 증발을 통해 금속을 기판에 입혀줍니다. PVD는 증착 속도가 빠르며, 장비 운용이 비교적 단순하여 wafers당 수백 개를 빠르게 처리할 수 있습니다. 예를 들어, 300mm 웨이퍼 기준 PVD의 증착 속도는 약 2~5nm/sec인 반면, CVD는 약 0. 5~2nm/sec로 다소 느립니다. Metal CVD는 높은 밀도와 내구성을 갖춘 박막을 형성하며, 특히 고온 공정이 필요할 때 적합합니다. PVD는 저온 공정과 복잡한 배열이 적어 제조 공정의 단순화에 도움을 줍니다. 이러한 차이로 인해 각각의 공정은 전자기기, MEMS 등 다양한 산업 현장에서 선택되어 사용됩니다.

2. 전공 관련 경험 중 …