[면접 합격자료] 나노종합기술원 반도체공정(H) 합격 문항 기출 최종합격

1. 반도체 공정의 기본 원리에 대해 설명해보세요.

반도체 공정은 웨이퍼 표면에 정밀한 미세 구조를 형성하는 일련의 과정을 포함하며, 주로 6단계로 나눌 수 있습니다. 산화 단계에서는 산화실에서 실리콘 웨이퍼 표면에 규소 산화막(SiO₂)을 형성하는데, 이때 온도는 약 1100도 이상이 됩니다. 그 다음, 포토리소그래피 과정에서는 감광제를 도포 후 노광하여 원하는 패턴을 만들어내며, 이 패턴은 UV 노광기를 통해 300nm 이하의 미세 패턴을 정밀하게 형성하게 됩니다. 이후 에치 단계에서는 화학적 또는 건식 에칭을 통해 노광된 부분을 선택적으로 제거하여 구조를 만듭니다. 이 때 에칭 시간과 조건에 따라 수십 나노미터 수준의 정밀도가 유지됩니다. 증착 단계는 얇은 금속 또는 절연체를 증착하며, CVD(화학적 증착법)가 일반적이고, 박막 두께는 수nm에서 수백nm까지 조절됩니다. 이후 이온 주입 기술을 통해 도핑을 수행하며, 이때 도핑 농도는 보통 10¹~10¹cm³ 범위로 정밀하게 조절합니다. 마지막으로 열처리(어닐링)를 통해 도핑 원소를 활성화시키며, 이 과정은 온도 900도 이상에서 수 시간 동안 수행되어 결정 격자가 복구됩니다. 이…