[면접 합격자료] 나노종합기술원 반도체 분야(B) 합격 문항 기출 최종합격

1. 반도체 공정에 대해 설명해 주세요.

반도체 공정은 웨이퍼 제조부터 칩 완성까지 여러 단계로 이루어지며, 주로 10나노 이하의 공정을 통해 고성능 제품을 생산합니다. 실리콘 웨이퍼 표면을 깨끗하게 세척한 후 산화막 또는 질화막을 형성하는 산화 공정을 수행합니다. 이후 포토리소그래피 과정을 통해 설계도를 미세한 패턴으로 웨이퍼 표면에 노광하며, 이때 사용하는 레지스트의 해상도와 정밀도는 수십 나노미터 수준입니다. 패턴이 노광된 후 현상 과정을 통해 원하는 패턴만 남기고 제거하며, 이후 식각 공정을 통해 불필요한 부분을 깎아냅니다. 이 과정은 적치(Deposit), 도핑(Doping)과 같은 단계와 반복되어 반도체 소자의 성능과 신뢰성을 높입니다. 특히, EUV(극자외선) 노광장비의 도입으로 7나노 이하 공정이 가능해졌으며, 현재의 시장 점유율은 약 60% 이상입니다. 공정 시간은 웨이퍼당 평균 30~40일이 소요되고, 불량률은 1% 이하로 유지됩니다. 이를 통해 초미세 회로 패턴 제작과 함께 집적도가 증가하고 전력 소비는 약 20% 이상 절감하며, 글로벌 반도체 시장 규모는 5000억 달러를 넘어섰습니다. 반도체 공정 기술의 발전은 모바일, 인공지능…