본문/내용
1. 반도체 제조 공정에 대해 설명해보세요.
반도체 제조 공정은 웨이퍼 준비, 설계 패턴 생성, 노광, 현상, 식각, 증착, 이온주입, 산화, 금속배선, 검사, 패키징 등 다양한 단계로 구성되어 있습니다. 실리콘 웨이퍼는 표면을 세척하고 산화층을 형성하여 기초를 마련합니다. 이후 설계 데이터를 바탕으로 포토마스크를 제작하고, UV 광을 이용해 웨이퍼에 패턴을 전사하는 노광 공정을 수행합니다. 노광 후 현상 과정을 거쳐 패턴이 드러나면, 식각을 통해 원하지 않는 실리콘 또는 산화막을 제거하여 회로를 형성합니다. 그 다음 증착 공정을 통해 금속 배선을 형성하며, 이온주입 공정을 통해 도핑 농도를 조절하여 트랜지스터의 특성을 조절합니다. 이후 온도를 조절하는 산화 단계에서 절연층을 형성하고, 이후 소자를 보호하는 패키징 과정을 진행하여 전기적 연결부를 완성합니다. 최근에는 공정 미세화와 7nm, 5nm 공정을 통해 칩 성능이 비약적으로 향상되어, 2022년 글로벌 반도체 시장은 약 5500억 달러 규모로 성장하였으며, 공정 단위당 수율은 9 9% 이상 유지되도록 첨단 모니터링 기술이 도입되고 있습니다. 이러한 공정은 모두 높은 정밀도와 깨끗한 환…