[면접 합격자료] SFA반도체 제조기술 합격 문항 기출 최종합격

1. 반도체 제조 공정의 주요 단계에 대해 설명해 주세요.

반도체 제조 공정은 웨이퍼 준비, 산화, 포토리소그래피, 식각, 증착, 이온주입, 열처리, 금속화, 패키징 등의 단계로 구성되어 있습니다. 처음에는 실리콘 웨이퍼를 깨끗이 세척하여 결함을 최소화하고, 산화 공정을 통해 절연막을 형성합니다. 이후 포토리소그래피 단계에서 감광제를 도포하고 노광 과정을 거쳐 패턴을 형성하는데, 이때 사용하는 스테퍼 장비는 300mm 웨이퍼 기준으로 최대 200단계 이상의 정밀도를 자랑합니다. 식각 단계에서는 강산 또는 플라즈마를 이용하여 원치 않는 부분을 제거하며, 증착 과정에서는 원자층 증착(ALD) 기술을 활용해 1nm 이하의 두께 제어가 가능하여 초미세 회로 형성에 필수적입니다. 이온주입 단계에서 50keV 수준의 에너지로 도핑하여 전도 특성을 조절하며, 열처리를 통해 불순물 확산 및 얇은 산화층의 안정성을 확보합니다. 금속화 단계에서는 알루미늄 또는 구리 등을 증착하여 전기적 연결을 형성하며, 이후 패키징 공정을 통해 외부 핀과 연결하여 제품 완성도를 높입니다. 이 과정은 각각 수십에서 수백단계로 진행되며, 전체 제조 시간은 웨이퍼당 평균 60…