[면접 합격자료] SFA반도체 법핑기술팀 공정 Engineer 합격 문항 기출 최종합격

1. 반도체 공정에 대한 기본 지식을 설명해 주세요.

반도체 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 미세한 회로를 형성하는 일련의 단계로 구성되어 있으며, 주로 산화, 포토레지스트 코팅, 노광, 식각, 증착, 이온주입, 세척, 연마 등으로 나뉩니다. 산화 공정에서는 실리콘 표면에 실리카층을 형성하여 절연층 역할을 하며, 이 두께는 수십~수백 앙스트롬 수준으로 정밀하게 제어됩니다. 포토공정은 감광성 물질인 포토레지스트를 적용하고, 노광과 현상 과정을 통해 미세 회로 패턴을 형성하는데, 7nm 공정의 경우, 패턴 폭은 20~30nm 범위 내로 조정됩니다. 증착 공정에서는 CVD 또는 PVD 장비를 사용하여 실리콘, 티타늄, 알루미늄 등의 얇은 막을 형성하며, 증착 두께는 1~100nm로 정밀하게 조절됩니다. 식각 공정은 건식 또는 습식으로 진행되며, 미세한 구조를 선택적으로 제거하여 회로 패턴을 구현합니다. 이 과정에서 공정 정확도는 수십 nm 이내로 유지되어야 하며, 불량률은 10ppm 이하로 관리됩니다. 이온주입 공정에서는 도핑 농도를 정밀 조절하여 트랜지스터의 전기적 특성을 조절하며, 농도는 10^15~10^21 atoms/cm^3 범위 내에서 조절됩니다. 이후 세척과 연마 과…