[면접 합격자료] SFA반도체 반도체 제조기술 합격 문항 기출 최종합격

1. 반도체 제조 공정의 기본 단계에 대해 설명해 주세요.

반도체 제조 공정은 여러 단계로 이루어지며, 각각의 단계는 높은 정밀도와 깨끗한 환경을 요구합니다. 실리콘 웨이퍼는 고순도 실리콘을 원료로 하여 성장시킨 단결정을 얇게 절단하여 제작하며, 이 과정에서 결정의 결 함량을 엄격히 관리하여 결함률을 10-4 이하로 유지합니다. 그 후, 웨이퍼 표면은 세정 과정을 거쳐 먼지와 오염 물질을 제거하는데, 0. 1μm 이하 크기의 미세먼지 제거를 위해 초순수 세정액과 클리너를 사용하여 9 999%의 청정도를 유지합니다. 다음으로, 산화 공정을 통해 실리콘 표면에 실리콘 산화막(실리콘 산화층)을 형성하는데, 이 산화막의 두께는 보통 수 나노미터(2~10nm) 수준이며, 절연 특성과 내구성을 위해 정밀하게 조절합니다. 포토리소그래피 단계에서는 감광제를 도포한 웨이퍼에 자외선을 사용하여 회로 패턴을 형성하며, 이를 통해 회로의 비트 수는 최근 7nm 공정에서 수백억 개에 달합니다. 이후, 에칭 공정으로 원하지 않는 실리콘이나 산화막을 제거하며, 이 과정에서 측정 오차는 1~2nm 이내로 엄격히 제어됩니다. 증착 공정에서는 화학기상증착(CVD) 또는 원자층 …