Hf 기반 VO 활용 MOSCAP 소자 트랩층 제어 연구

1. 서론

MOSCAP 소자는 현대 전자 시스템의 근간을 이루며, 그 성능은 직접적으로 전자 기기의 효율과 안정성에 영향을 미친다. 특히 집적 회로의 고도화가 진행될수록 MOSCAP 소자의 역할은 더욱 중요해지고 있으며, 소형화 및 고집적화 추세에 발맞춰 혁신적인 기술 개발이 요구되고 있다. 소자의 전기적 특성을 좌우하는 핵심 요소는 바로 게이트 절연막이며, 이는 반도체 채널과 금속 전극 사이에서 전기적 절연을 제공하는 동시에 전계 효과를 통해 채널 내 전하 밀도를 제어하는 역할을 수행한다. 따라서 게이트 절연막의 품질은 소자의 문턱 전압, 누설 전류, 항복 전압 등 주요 동작 특성에 직접적인 영향을 미치므로, 고성능 소자 구현을 위해서는 우수한 절연 특성을 갖는 새로운 게이트 절연막 소재 개발이 필수적이다.

기존에 주로 사용되던 실리콘 산화막은 높은 신뢰성과 우수한 계면 특성을 가지지만, 소자의 집적도가 증가함에 따라 물리적 한계에 직면하게 되었다. 절연막 두께를 줄이면 채널 제어 능력이 향상되지만, 동시에 터널링 효과에 의한 누설 전류가 급격히 증가하여 소자의 전력 소모를 야기하고 신뢰성을 저하시키는 문제가 발생한다. 이러…(생략)