본문/내용
1. Oxide TFT 개요
Oxide TFT(Thin Film Transistor)는 유기물 또는 무기물 기반의 전도성 산화물 재료를 활용한 전계효과트랜지스터로서, 기존의 실리콘 기반 TFT에 비해 우수한 전기적 특성과 열적 안정성을 갖추고 있어 차세대 디스플레이 및 전자기기에서 큰 주목을 받고 있다. 일반적으로 산화물 TFT는 인듐-주석-산소(ITO) 또는 인듐-금속-산소(ITO)와 같은 재료를 주성분으로 사용하며, 이산화티타늄(TiO₂), 산화아연(ZnO), 산화인듐(In₂O₃) 등 다양한 산화물을 활용하여 제작된다. 특히, 산화물 TFT는 높은 전자 이동도(일반적으로 10~40 cm²/V·s)를 보여주어, 이는 실리콘 산화막(약 1~2 cm²/V·s)보다 월등히 뛰어난 수치이다. 이는 보다 빠른 신호 전달과 고해상도 디스플레이 제작이 가능하게 하여, OLED, LCD 등 차세대 디스플레이 산업에 혁신적인 기술로 자리매김하고 있다. 또한, 산화물 TFT는 유연하면서도 박막화가 가능해 곡면 디스플레이에도 적용 가능하며, 제조 공정 역시 저온에서 진행할 수 있어 비용 절감 효과도 크다. 글로벌 시장 조사기관인 MarketsandMarkets 보고서에 따르면, 산화물 TFT 시장은 연평균 17.2%의 성장…