본문/내용
1. 반도체 공정 개요
반도체 공정은 반도체 칩의 성능과 품질을 결정하는 핵심 과정으로, 웨이퍼 제조부터 최종 제품까지 다양한 단계로 구성되어 있다. 먼저, 실리콘 웨이퍼를 준비하는 단계에서 크리스탈 실리콘을 성장시키고 이를 얇게 절단하는 단계가 시작된다. 이후 표면을 평탄하게 다듬는 연마 공정이 진행되며, 이 과정에서 표면 거칠기를 최소화하여 이후 공정에서의 정밀도를 높인다. 다음으로, 포토리소그래피 공정을 통해 회로 패턴을 웨이퍼 표면에 형성한다. 이때, 감광제를 입힌 웨이퍼에 노광 후 현상 과정을 거쳐 미세 회로를 만들어내며, 이를 통해 집적회로(IC)의 기본 구조가 생성된다. 이후 식각(에칭) 공정을 통해 불필요한 부분을 제거하고, 증착 공정으로 금속층을 형성하여 전기적 연결을 만든다. 이 과정들은 나노미터 단위의 정밀도를 요구하며, 5나노미터 공정 기술이 2023년 기준으로 주요 시장에서 도입되었음이 보고된다. 반도체 제조는 수십 개의 공정을 반복하며, 수천 개의 공정을 통해 하나의 칩이 완성된다. 최근 글로벌 시장 조사기관 IHS 마킷은 2023년 전 세계 반도체 시장이 약 6000억 달러 규모로 성장했으며, 이 중 공정 기술…