반도체 EUV노광공정에 대한 기술현황 자료 210923

1. EUV 노광공정 개요

EUV 노광공정은 극자외선(EUV, Extreme Ultraviolet) 광원을 이용하여 반도체 회로를 미세하게 패턴하는 기술이다. 기존의 193nm 이하 파장을 사용하는 ArF 노광 기술보다 훨씬 짧은 13.5nm 파장의 EUV 광원을 활용함으로써 극미세 공정이 가능하다. EUV 노광은 트랜지스터 크기를 7nm 이하로 줄이는 데 핵심 역할을 담당하며, 3세대 EUV 장비인 ASML사의 최신 기술이 2023년 기준으로 전 세계 반도체 제조사의 80% 이상에 채택되고 있다. EUV 공정은 광학 미러 및 복잡한 광학 시스템이 필요하며, 100만 개가 넘는 미러와 정밀한 진공상태가 요구된다. 이러한 기술적 난제에도 불구하고, EUV 기술은 미세 공정의 한계를 극복하는 유일한 방식으로 평가받고 있다. 반도체 공정의 핵심 단계 중 하나인 패터닝에서 EUV는 원자 수준의 정밀도를 가능하게 하며, 이를 통해 미세 트랜지스터와 배선 패턴을 형성한다. 2022년 글로벌 반도체 시장에서 EUV 공정을 도입한 칩 생산량은 전체의 약 25%에 달하며, 연평균 성장률이 15% 이상으로 증가하는 추세를 보이고 있다. EUV 노광은 극단적 광학 조건에서 높은 수율과 정밀도를 유지하는 것이 도전 과제였지…