[신소재설계] Encapsulation을 통한 Oxide TFT의 신뢰성 개선

1. 서론

최근 디스플레이 및 전자기기 산업에서 Oxide TFT(산화물 박막 트랜지스터)의 활용이 급증하고 있다. 이는 산화물 반도체가 높은 전자 이동도와 우수한 광학적 특성을 갖추고 있어 고화질 디스플레이 구현에 적합하기 때문이다. 특히, IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)와 같은 산화물 반도체는 기존의 실리콘 기반 TFT보다 생산 비용이 낮고, 유연성과 투명성도 우수하여 차세대 디스플레이에 많이 채택되고 있다. 그러나 산화물 TFT의 상용화에 있어 가장 큰 장애물은 바로 신뢰성과 내구성 문제이다. 장시간 사용 시 성능 저하와 기기의 고장 가능성을 높이는 다양한 원인 중 하나는 바로 환경적 노출로 인한 유리기판 또는 반도체 층의 손상이다. 산화물 반도체는 산소 결함, 수분 침투, 산화 환원 반응 등으로 인한 품질 저하가 쉽게 발생하며, 이러한 문제는 디스플레이의 수명과 직결된다. 통계자료에 따르면, 2022년 산화물 TFT의 고장률은 1만 시간 가동 시 8%였으며, 이는 실리콘 TFT에 비해 약 3배 높은 수치였다. 이를 극복하기 위해 새로운 패키징 기술이 요구되었으며, 그 중에서도 Encapsulation(캡슐화)은 매우 중요한 역할을 하게 되었다. 캡슐화…