[반도체공정] 미래 리소그래피(lithography) 동향(영문)

1. Introduction to Future Lithography Technologies

미래 리소그래피 기술은 반도체 제조 공정에서 핵심적인 역할을 담당하며, 기술의 발전은 미세 공정의 한계 극복과 고성능 칩 생산을 위해 매우 중요하다. 현재 기존의 노광 기술은 파장과 해상도의 한계로 인해 3nm 이하의 공정이 어려워지고 있으며, 이러한 한계를 극복하기 위해 다양한 신기술이 연구되고 있다. EUV(Extreme Ultraviolet) 리소그래피는 파장이 13.5nm로 짧아 해상력 향상에 기여하며 2020년부터 TSMC와 삼성전자를 비롯한 여러 업체에서 상용화가 이루어졌다. 특히, 2023년 기준 EUV를 사용하는 5nm와 3nm 공정 생산 비중은 전체 반도체 생산의 45% 이상을 차지하고 있으며, 앞으로 2nm 이하 공정에서도 핵심 기술로 자리 잡을 것으로 기대되고 있다. 하지만 EUV는 높은 비용과 공정 복잡성이라는 문제를 안고 있어, 이를 보완하는 차세대 기술 개발이 활발하게 진행되고 있다. 이와 함께 EUV와 병행해서 사용되는 멀티-패턴 기술, 미래에는 디멘드 유도 양자점, 또는 ‘극초단파 빔’을 활용한 노광법도 연구되고 있다. 특히, 나노임프린트(nanoimprint)와 산란광(lithography with scattering) …