[반도체공정] LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)

1. LPCVD 개요

LPCVD(저압 화학기상증착)는 반도체 제조 공정에서 중요한 역할을 하는 증착 기술이다. 이 방법은 기체 상태의 화학물질을 저압 상태에서 반응시켜 실리콘, 산화물, 질화물 등 다양한 박막을 기판 표면에 증착하는 공정이다. LPCVD는 일반적인 CVD 공정보다 낮은 압력인 수백 밀리토르 수준(약 10-50 mTorr)에서 수행되며, 이를 통해 반응물의 충돌 빈도를 제어하고 균일한 박막 두께를 얻을 수 있다. 이러한 낮은 압력 조건은 증착 속도는 다소 느리지만 훨씬 균일하고 고품질의 박막을 형성하는 데 유리하다. 특히 실리콘 산화물(SiO2)과 실리콘 질화물(Si3N4) 증착에 주로 활용되며, 이들 소재는 트랜지스터 절연막, 패시베이션, 기판 보호 등에 광범위하게 사용되고 있다. 세계 반도체 시장에서는 LPCVD 공정이 차지하는 비중이 약 35% 이상으로, 고품질의 박막 생산과 공정 안정성을 제공하는 덕분에 중요하게 여겨진다. 최근 통계에 따르면, 2022년 글로벌 LPCVD 장비 시장 규모는 약 15억 달러에 달하며, 연평균 성장률이 6% 이상인 것으로 나타났다. 이는 미세공정기술의 발전과 함께 더욱 정밀한 박막 증착 요구가 증가하고 있음을 보여준다. 또한,…